一块 N 型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子_技术

⑴ 电势较高，（2）由I=nebdv和得，所以侧面的电势差与其中的电流成正比，（3）0.02T

试题分析：⑴电子在洛伦兹力作用下向侧面C移动，故电势较高

（2）假设定向移动速度为v，

由，q="nebdvt" 可得 I=nebdv

稳定时有：

可得 ·

由于B、n、e、d均为定值，所以侧面的电势差与其中的电流成正比

（3）由上可知

代入数据可得：B=0.02T

点评：本题中左手定则判定电子的偏转方向，找到电势高的面，随着电荷的积累，两面间电压增大，最终稳定后电子在洛伦兹力和电场力的作用下处于平衡，根据平衡，结合电流的微观表达式，可得出两个侧面的电势差与其中的电流的关系．

将一个半导体薄片放在垂直于它的磁场中(日的方向沿z轴方向)，当沿y方向的电极A.4'上施加电流1时，薄片内定向移动的载流子(没平均速率为u)受到洛伦兹力的作用。无论载流子是负电荷还是正电荷，均在洛伦兹力的作用下，我流子发生偏称，产生电面积累，从而在蒲片B，B，两侧产生一个电位差，形成一个电场E，电场使载流子又受到一个与洛伦益力方向相反的电场力，达到稳定状态时，两力相等。此时两侧的电压称为霍尔电压。

1)载流子浓度

m.e 1,B Rye

2)载流予迁移率 μ=R，σ

迁移率(mobditv)暑指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米*/(伏·秒)即cm*/V s。

3)电导率的测量 0= V。bd IgL

(1)判断半导体的类型

P型半导体 N型半导体

(2)测量磁场霍耳电压 U = R d L.B

1、半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片。当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势eh，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。

2、原理简述如下：激励电流I从a、b端流入，磁场B由正上方作用于薄片，这时电子e的运动方向与电流方向相反，将受到洛仑兹力FL的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的c、d方向产生电场E。电子积累得越多，FE也越大，在半导体薄片c、d方向的端面之间建立的电动势EH就是霍尔电势。

3、由实验可知，流入激励电流端的电流I越大、作用在薄片上的磁场强度B越强，霍尔电势也就越高。磁场方向相反，霍尔电势的方向也随之改变，因此霍尔传感器能用于测量静态磁场或交变磁场。

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一块 N 型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子

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