半导体有源区是什么

半导体有源区是有源区是硅片上做有源器件的区域。硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联之前，两个有源区没有差别。另外，业内通俗的把有后续杂质注入的地方就都叫做有源区了。

减少硅料消耗

对于以硅片为基底的光伏电池来说，晶体硅(c-Si)原料和切割成本在电池总成本中占据了最大的部分。光伏电池生产商可以通过在切片过程中节约硅原料来降低成本。降低截口损失可以达到这个效果，截口损失主要和切割线直径有关，是切割过程本身所产生的原料损失。提升机台产量。

有源区和金属的连接工艺：现有半导体器件的结构一般包含半导体衬底、位于半导体衬底中的有源区、位于半导体衬底上方的金属层(金属布线层或引出电极)以及位于半导体衬底与金属层之间的绝缘介质层。绝缘介质层中还设有贯穿孔，贯穿孔内填充有钛、氮化钛、钨等导电材料，以实现有源区与金属层之间的电连接。在此种半导体结构中，半导体衬底与金属层之间往往会形成一个寄生的mos电容。寄生电容的大小由绝缘介质层的厚度、绝缘介质层的介电常数和金属层的面积决定。当寄生电容大到一定程度，会影响半导体器件的频率响应等参数，使产品性能下降。

p-podyimp是什么意思在半导体中:

imp是半导体工艺，imp全写是P-ESDIMP。

P-ESDIMP工艺流程是在有源区重掺杂之后增加一道P-ESDIMP，P-ESDIMP的目的是把中等浓度的硼(P型)通过离子注入的方式掺杂到NMOS漏端N+扩散区正下方与PW交界面，从而降低NMOS漏端与PW的击穿电压。

例如在一0.18μm的工艺中，可把原先约10V的接面击穿电压降低到约8V。当ESD现象发生在该NMOS器件的漏极时，漏端接触孔下面的PN结首先击穿，静电放电电流便会先由该PN结接面泄放掉，因此该NMOS器件漏极端的LDD结构不会因静电尖端放电的现象而被静电损伤，达到提高它的ESD保护能力。

利用P型的P-ESDIMP工艺技术制造的ESDNMOS仍可保留LDD结构，因此该ESDNMOS器件仍可使用较短沟道长度，它的SPICE参数跟传统的NMOS器件类似，除了击穿电压不同之外，不必另外抽取这种ESDNMOS器件的SPICE参数。

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