半导体物理

T=77k 低温弱电离 n0=[(NdNc/2)^(1/2)]exp(△ED/2k0T) Nc正比于T^3/2

△ED=0.044eV

T=300k 强电离区 n0=Nd；

T=500k 过渡区 ni^2=n0*p0n0=Nd+p0联立求解；

T=800k 高温本征区 n0=p0=ni>>Nd

本题思路：费米能级是具有统计学意义的物理概念，并非真实存在的能级，因此一般是已只费米能级求解载流子浓度，本题第一问求费米能级，费米能级的位置可以由下图得到，见刘恩科半导体物理。

从图中可看出费米能级在禁带下方0.45eV处，Ec-Ef=1.02eV

此时ED-Ef=0.974eV

根据

带入题目中数据可计算出电离施主的浓度

掺杂后形成的叫做掺杂能带。比如托中的Ed（施主能带），Ea受主能带。

所谓的施主能带Ed，指掺杂后能多给出一个电子。对于掺杂半导体，电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主；能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中；受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。

因为施主的电子很容易跑掉而变成自由电子，所以，他的能带在比导带低一点点。

而受主则反之。

因此，会有能带结构图上的那种结构。

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