发光二极管的静电击穿电压是多少

LED静电击穿对静电而言，他有四个量决定其‘杀伤力’1、电量（电荷的多少）2、电压（对大地而言形成的电位差）3、接触放电的时间（接触瞬间的时间，越短，说明‘打过来的子d越快’）4、放电接触电阻（放电接触的导通程度，电阻小，越畅通啦）所以，对半导体（含LED）进行抗静电测试时，国际相关标准有明确的上述指标的规定，最后变量为电压，从而，我们讲的LED的静电击穿电压多少伏。。国际标准中：人体模式HBM测试：电量150Pf，放电时间5-10Ns（纳秒），电阻1500欧姆 目前从市场上看，抗静电能力在200V——10000V或者更高的水平的LED都有存在。1000V以下，是很差的；稍好些会到达2000V；3000V以上是比较好的。 我厂采用ZY910型LED静电测试仪，值得推荐。你可网上搜索下。

四探针技术——测量电阻率ρ=1/σ和载流子浓度。

三探针技术——测量击穿电压，并得到电阻率。

Hall效应技术——测量Hall系数R，并得到迁移率（μ=Rσ）。

MOS电容-电压技术——测量MOS中的界面态和电荷等。

光电导衰退技术——测量少数载流子寿命。

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