纳米技术有很多种,基本上可以分成两类,一类是由下而上的方式或称为自组装的方式,另一类是由上而下所谓的微缩方式。前者以各种材料、化工等技术为主,后者则以半导体技术为主。
以前我们都称 IC 技术是「微电子」技术,那是因为晶体管的大小是在微米(10-6米)等级。但是半导体技术发展得非常快,每隔两年就会进步一个世代,尺寸会缩小成原来的一半,这就是有名的摩尔定律(Moore’s Law)。
大约在 15 年前,半导体开始进入次微米,即小于微米的时代,尔后更有深次微米,比微米小很多的时代。到了 2001 年,晶体管尺寸甚至已经小于 0.1 微米,也就是小于 100 纳米。因此是纳米电子时代,未来的 IC 大部分会由纳米技术做成。但是为了达到纳米的要求,半导体制程的改变须从基本步骤做起。每进步一个世代,制程步骤的要求都会变得更严格、更复杂。
量子点一般是半导体,具有量子限域效应,而纳米材料比较广泛,尺寸在纳米级的材料都可以。量子点是纳米材料的一种,一般指半导体小于波尔激子半径以下时,有量子尺寸效应纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围(1-100nm)或由它们作为基本单元构成的材料,这大约相当于10~100个原子紧密排列在一起的尺度。因此,颗粒尺寸在1~100纳米的微粒称为超微粒材料,也是一种纳米材料。只有其尺寸小于材料的波尔激子半径时,才能称为量子点,量子点具有量子限域效应,所以其能带可调,进而吸收波长具有蓝移特性。区别与联系:纳米材料包括量子点,这是从范畴上的理解。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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