电子迁移率、空穴迁移率测试

FlyTOF飞行时间法迁移率测量仪利用飞行时间法(time-of-flight，TOF)测量半导体材料的迁移率以及相关的光电特性， 广泛适用于各类半导体材料， 如有机半导体、金属- 有机框架（metal-organic framework, MOF）、共价有机框架（covalent organic framework,COF）、钙钛矿材料等。FlyTOF系统是一款高度集成化的光电测试系统，配备便捷的上位机控制和数据测量软件，可助力进行快速、准确的测量。

主要应用：

有机半导体（Organic semiconductor materials）

金属-有机框架（metal-organic framework, MOF）

共价有机框架（covalent organic framework, COF）

钙钛矿材料（Perovskite materials）

其它半导体材料（Other semiconductor materials）

系统特点：

专业的信号调教，电磁兼容噪声小；

软件自动控制，测试快速便捷；

快速换样装置，惰性气体氛围测试；

可实现宽温度范围的变温测试（选配）；

可灵活耦合各种类型的激发光源。

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金属电阻温度系数的计算表达式：ρ=RS/L。

金属电阻温度系数作为一个反映电阻随温度变化的参数在金属互连线的可靠性测试中被广泛使用。对电阻温度系数的内在含义进行了详细的阐述，指出电阻温度系数的大小与金属互连层的微观结构相关，与电迁移测试的结果具有较强的相关性。

电阻温度系数可以作为一个金属互连层可靠性监测的早期参数，对工艺发展、产品验证以及在线监测进行早期预测。

金属电阻温度系数的变化：

在半导体中，金属互连层（铝或铜）的阻值在常温附近的范围内与它的温度具有线性关系，这也是半导体测试中金属互连线经常被用来作为温度传感器的原因。半导体中用电阻温度系数来表征金属的阻值和它的温度之间的关系。电阻温度系数表示单位温度改变时，电阻值（电阻率）的相对变化。

电阻温度系数并不恒定而是一个随着温度而变化的值。随着温度的增加，电阻温度系数变小。因此，我们所说的电阻温度系数都是针对特定的温度的。

对于一个具有纯粹的晶体结构的理想金属来说，它的电阻率来自于电子在晶格结构中的散射，与温度具有很强的相关性。实际的金属由于工艺的影响，造成它的晶格结构不再完整，例如界面、晶胞边界、缺陷、杂质的存在，电子在它们上面的散射形成的电阻率是一个与温度无关的量。

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

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