科大奥锐物理实验虚拟仿真平台满分多少

科大奥锐物理实验虚拟仿真平台不同的实验有不同的总分，有100分、65分、58分、60分、150分、172分、55分、180分、250分、80分、230分、71分、200分、236分、50分等情况。其中，AD590温度特性测试与研究、PN结温度特性与伏安特性的研究、半导体温度计的设计等实验的总分为100分，不良导体热导率的测量总分为55分，分光计实验总分为65分，干涉法测微小量的总分为58分，拉伸法测金属丝的杨氏模量、光电效应和普朗克常量的测定等实验的总分为60分，基本电学参数的测量的总分为150分，检流计的特性研究的总分为172分，交流电桥的总分为55分，迈克尔孙干涉仪的总分为180分，热敏电阻温度特性研究实验的总分为250分，三线摆法测缸体的转动惯量的总分为80分，设计万用表实验的总分为230分，双臂电桥测低电阻实验的总分为71分，用转筒法和落球法测液体的粘度的总分为200分，整流滤波电路实验的总分为236分，箱式直流电桥测量电阻的总分为50分。

二极管的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。二极管的正向特性：在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗二极管约为0.2V,硅二极管约为0.6V)以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗二极管约为0.3V,硅二极管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。二极管反向特性：在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当普通二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，二极管会反向热击穿而损坏。稳压二极管：稳压二极管是一个特殊的面接触型的半导体硅二极管，其伏安特性曲线与普通二极管相似，但反向击穿曲线比较陡，稳压二极管工作于反向击穿区，由于它在电路中与适当电阴配合后能起到稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管反向电压在一定范围内变化时，反向电流很小，当反向电压增高到击穿电压时，反向电流突然猛增，稳压管从而反向击穿，此后，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压的变化却相当小，利于这一特性，稳压管访问就在电路到起到稳压的作用了。而且，稳压管与其它普通二极管不同，反向击穿是可逆性的，当去掉反向电压稳压管又恢复正常，但如果反向电流超过允许范围，二极管将会发热击穿而损坏，所以要用电阻限制其电流。如果满意记得采纳哦！你的好评是我前进的动力。(*^__^*)嘻嘻……我在沙漠中喝着可口可乐，唱着卡拉ok，骑着狮子赶着蚂蚁，手中拿着键盘为你答题！！！

封装之后的测试不熟，有FT、SLT等，具体不详，yield map一类，以前在fab的时候，看到的是结果，具体测法不详，说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。

1，出厂必测的WAT，wafer acceptance test，主要是电性能测试，每一类晶体管的参数，电压电容电阻等，每一层金属的电阻，层间的电容等，12寸厂的晶圆抽测9颗样点，均匀分布在整个wafer上，答主熟悉的55nm技术，每一个样点上必测70~120个参数，整片wafer测完约需要10~15分钟，设备主要是安捷伦和东电的；

2，在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等，膜厚是13点，线宽是9点；

3，光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值，要配合后端芯片的再制备；

4，在测试芯片（非生产性正常检测）的时候，还会测试NBTI、TDDB、GOV等；

5，其他根据芯片特性的测试。

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