内存颗粒是什么样子的，详细解释

内存的基本知识<---->

什么是内存的“金手指”？

即内存的电路板与主板内存插槽的插脚，因其表面镀金且为手指型故名“金手指”，而我们一般所说的168线等就是这些金属插脚的数目。

什么是PCB

PCB(Printed Circuit Board)称为”印刷电路板”，由环氧玻璃树脂材料制成，按其信号层数的不同分为4、6、8层板，以4、6层板最为常见。芯片等贴片元件就贴在PCB上

什么是DRAM

DRAM（Dynamic RAM）: 动态随机存储器。

什么是SDRAM

SDRAM（Synchronous DRAM）: 同步动态随机存储器。目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片，工作电压33V电压，存取速度高达75ns，而EDO内存最快为15ns。并将RAM与CPU以相同时钟频率控制，使RAM与CPU外频同步，取消等待时间。所以其传输速率比EDO DRAM更快。

什么是DDR SDRAM

DDR（Double Data Rate）SDRAM。其核心建立在SDRAM的基础上，但在速度上有了提高。SDRAM仅在时钟信号的上升沿读取数据，而DDR在时钟信号的上升沿和下降沿都读取数据，因此，它的速度是标准SDRAM的2倍。

什么是RDRAM

RDRAM（Rambus DRAM）：总线式动态随机存储器，是由RAMBUS公司与INTEL公司合作提出的一项专利技术，它的数据传输率最高可达800MHZ，而它的总线宽度却仅为16bit，远远小于现在的SDRAM的64bit。

什么是SPD

SPD(Serial Presence Detect): SPD是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM 电可擦写可编程只读存储器）, 容量为256字节，里面主要保存了该内存的相关资料，如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料，并以此设定内存的工作参数。

什么是内存的峰值带宽

峰值带宽=工作频率内存总线宽度，如PC100内存峰值带宽＝100MHz64bit=800MByte，DDR266内存峰值带宽＝266MHz64bit=21GByte，PC800的Rambus内存峰值带宽＝800MHz16bit=16GByte。

1 内存的单面与双面，单Bank与双Bank的区别？

单面内存与双面内存的区别在于单面内存的内存芯片都在同一面上，而双面内存的内存芯片分布在两面。而单Bank与双Bank的区别就不同了。Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。

一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。不同的芯片组所支持的Bank是不同的。如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。双面不一定是双Bank，也有可能是单Bank，这一点要注意。

2 内存的2-2-3通常是什么意思？

这些电脑硬件文章经常出现的参数就是在主板的BIOS里面关于内存参数的设置了。通常说的2-2-3按顺序说的是tRP(Time of Row Precharge)，tRCD(Time of RAS to CAS Delay)和CL(CAS Latency)。tRP为RAS预充电时间，数值越小越好；tRCD是RAS到CAS的延迟，数值越小越好；CL(CAS Latency)为CAS的延迟时间，这是纵向地址脉冲的反应时间，也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。

3内存的双通道技术和单通道有什么不同？

什么是双通道DDR技术呢？需要说明的是，它并非我前面提到的D D R I I，而是一种可以让2条D D R内存共同使用，数据并行传输的技术。双通道DDR技术的优势在于，它可以让内存带宽在原来的基础上增加一倍，这对于P 4处理器的好处可谓不言而喻。400M H z 前端总线的P 4 A处理器和主板传输数据的带宽为32G B /s，而533 M Hz 前端总线的P4B处理器更是达到了43G B/s，而P4C处理器更是达到了800MHZ 前端总线从而需要6 4 G的内存带宽。但是目前除了I850E支持的R ambus P C10 66规范外，根本没有内存可以满足处理器的需要，我们最常用的DDR333本身仅具有27G B/s的带宽。DDR400也只能提供32G /s的带宽。也就是说，如果我们搭建双通道DDR400的内存，理论上提供2倍DDR400的带宽。将从而根本的解决了CPU和内存之间的瓶颈问题。

4DDR-Ⅱ和现在的DDR内存有什么不同？

DDR-II内存是相对于现在主流的DDR-I内存而言的，它们的工作时钟预计将为400MHz或更高。主流内存市场将从现在的DDR-400产品直接过渡到DDR-II。目前DDR-II内存将采用013微米工艺，将来会过度到90纳米，工作频率也会超过800MHZ。

大家总是碰到种种故障，而内存的故障也经常伪装成软件的故障，比如开机总是显示注册表加载错误等等，以下罗列几种常见故障：

一、最常见故障：内存损坏，导致开机内存报警

这种故障大家经常遇到，多数是头天晚上还好好的，第二天早晨一开机，听到的不是平时“嘀”的一声，而是“嘀，嘀，嘀”响个不停，显示器也没有图像显示。这种故障多数时候是因为电脑的使用环境不好，湿度过大，在长时间使用过程中，内存的金手指表面氧化，造成内存金手指与内存插槽的接触电阻增大，阻碍电流通过，因而内存自检错误。表现为一开机就“嘀嘀”的响个不停，也就是我们通常所说的“内存报警”。

处理方法也很简单，就是取下内存，使用橡皮将内存两面的金手指仔细的擦洗干净，再插回内存插槽就可以了。

注意：在擦洗金手指时，一定不要用手直接接触金手指，因为手上汗液会附着在金手指上，在使用一段时间后会再次造成金手指氧化，重复出现同样的故障。

不过，此类内存报警还有其他几种原因：

1内存与主板兼容性不好

把内存插在其他主板上，长时间运行稳定可靠；把其他内存插在故障主板上也运行可靠稳定，没有报警出现。但是把二者放在一起，就出现“嘀嘀”的报警声。此类故障只能更换内存来解决。

2主板的内存插槽质量低劣

表现为更换多个品牌内存都出现“嘀嘀”的报警声，偶尔有某一个内存不报警，但可能关机重启后又会报警。此类故障的主要出现在二三百元的低档的主板上，原因是主板的价格低，使用的内存插槽质量也差，只能更换主板解决。

3内存某芯片故障

此类故障相对比较严重，在开机自检时主机能够发现内存存在错误缺陷，不能够通过自检，发出“嘀嘀”的报警声，提示用户检查内存。这种故障要把内存插在其他主机上，检查是否有同样的“嘀嘀”声。如果有，就可以断定是内存有问题；如果没有，就可能属于上述第1个或每2个原因。

4其他故障造成的内存报警

这类故障不常见，有可能是主板故障或CPU故障，造成内存报警，只能用排除法逐一替换解决。

二、常见故障1：内存损坏导致系统经常报注册表错误

这类故障比较常见，表现为能够正常启动系统，但是在进入桌面时，系统会提示注册表读取错误，需要重新启动电脑修复该错误，但是再次启动电脑后，仍旧是同样的故障。对于此类问题，我们可以进入安全模式，在运行中敲入“MSCONFIG”命令，将“启动”项中的ScanRegistry前面的“V”去除，然后再重新启动电脑。如果故障排除，说明该问题真的是由注册表错误引起的；如果故障仍然存在，基本上就可以断定该机器内存有问题，这时需要使用替换法，换上性能良好的内存条检验是否存在同样的故障。

有时候，长时间不进行磁盘碎片整理，没有进行错误检查时，也会造成系统错误而提示注册表错误，但对于此类问题在禁止运行“ScanRegistry”后，系统就可以正常运行，但速度会明显的变慢。对于此类问题，解决的最好方法就是先备份重要资料，然后重新安装系统。 ：）

三、常见故障2：内存损坏导致安装系统时出错。

提示“解压缩文件时出错，无法正确解开某一文件”

这类故障常见于安装系统过程中，会经常意外的退出安装。实际上这也经常是因为内存的质量不良或稳定性差造成的，多数问题在更换内存后故障解决。此类问题无论是直接从光盘安装还是从硬盘安装都会出现同样的提示信息。虽然有点类似于我们在安装WIN98、WIN2K及XP过程遇到的无法正常读取某一文件，请选择“忽略，终止，放弃”，但那类问题多数是因为光盘的质量差或光驱的使用时间过久，读盘性能下降造成的，同时还会有光驱灯慢闪，并伴随着间断读盘时的“哗哗”声。

如果我们在维修电脑故障过程中遇到此问题时，最好直接更换内存检测，看是否仍旧出现同样的故障。如故障消失，说明原来内存有问题；如果故障依旧，多数是因为光盘质量差或光驱读盘下降造成的，也可能是硬盘上的系统安装文件损坏。

四、内存短路导致主机无法加电

这种情况内存损坏得比较严重，但是内存芯片表面，金手指、阻容并不一定有明显的烧灼痕迹，有时和完好的内存条子一模一样。不过将此内存插入主板后，主板无法加电。当把电源插入电源插头后，按下电源开关，主机无任何反应，CPU风扇和电源风扇都不工作，电源指示灯也不亮，和没有加电时一模一样。

故障的判别也很简单，使用排除法和最小系统法。如果遇到一台主机是此类的故障现象，第一步是排除电源故障，如果手中有其他正常电源最好，直接替换。如果没有，可将电源取下，用导线直接短路绿线和黑线，观察电源风扇是否工作，并用耳朵仔细聆听电源内部是否有吱吱的异响。如果有说明电源有问题，质量不稳定，需要更换。第二步是将声卡、Modem、硬盘、光驱、软驱、显卡、内存、CPU全部去除，只留下CPU风扇，再插入DEBUG卡（如果没有，那需要观察CPU风扇和电源风扇是否转动），开始对主板加电，观察DEBUG卡的指示灯和数码管是否有指示；然后再插入CPU，加电试机；接着再插入内存，一步一步的添加其他部件。如果到某一部件时出现上述的故障现象，那就说明是该部件有问题，需要更换或维修。此方法对于排除系统启动速度慢，死机等也适用。

五、内存损坏导致系统运行不稳定

经常出现蓝屏或无法正常顺利安装系统，总无规律的提示文件读取或解压错误

对于此类问题，首先应排除软件问题。第一步，先对C盘的重要数据进行备份，然后使用“Format C:/u /c /s”命令对C盘进行强制完全格式化，并仔细观察格式化过程，是否格式化顺利，硬盘是否有坏道。因为硬盘坏道会使系统文件被破坏，造成系统运行不稳定，容易死机。第二步，重新安装 *** 作系统，并注意观察在安装过程中是否有文件无法打开，文件找不到之类的错误。如果没有，基本上就说明硬件方面没有问题，系统不稳定，容易死机，很有可能是系统长时间使用，没有定期进行磁盘扫描和碎片整理，造成系统文件过多的丢失或破坏，而导致系统无法正常稳定的工作。如果在安装过程中出现蓝屏，就需要使用排除法，对内存和CPU进行替换排除。在对CPU和内存替换后故障依旧时，那就必须更换主板进行查验。

说明：有些光驱的读盘性能非常好，在使用两三年后，还是“呜呜”的高速读盘，但是此时因其纠错率下降，使光驱读入的错误数据过多。这些数据如果是用来播放VCD，那不会产生特别大的影响，但是这类光驱读入的数据用于安装系统就极可能会出现上面的类似错误，报文件找不到或解压错误，即使偶尔安装成功，也经常出现“非法 *** 作”，系统非常的不稳定。这类故障比较难于判断，会被判别为内存和CPU的问题，而耽误好多维修时间。

六、内存损坏，导致计算机频繁重启，无法正常运行

对于此类故障，先直接更换内存，看故障是否还仍然出现。如果故障消失，就可以直接判断是内存故障。如果故障依旧，那就需要按第五种故障的排除方法，重新安装 *** 作系统，检查是不是由于系统的原因造成的。

计算机自动重启的故障原因比较多，较常见的是电源功率不足。当计算机满负荷工作，消耗的电力大时，就容易自动重启。还有就是市电电压不稳，变化范围太大或者市电的电源插座接触不良也会产生计算机自动重启故障。但内存损坏后造成计算机自动重启的故障并不多见。

七、内存损坏导致系统启动后不能正常运行，快进入桌面时就自动关机

此问题也需要采用第五类故障中的排除方法解决。

提示一点：因为WIN98系统本身的问题，该 *** 作系统很容易遭到破坏。如果我们把C:\WINDOWS\FONTS的目录名改为其他字母，这时当你再启动系统时，系统就会在出现蓝天白云后，快进入桌面时自动关机。解决的方法也很简单，在启动时按住“CRTL”进入DOS状态，使用REN命令将该目录名改为“FONTS”就可以了。如果是人为的破坏系统，那将会使计算机维修人员费很大的周折，浪费好多的时间，所以做为计算机的服务人员，也应该了解一些 *** 作系统的启动原理和主要文件。

其余几种故障

八、内存损坏导致光驱狂读

此类问题我遇到过两次，都是一模一样的表现。只要一开机，自检过后，快进入系统时，光驱开始“呜呜”的高速旋转。即使你不放入光盘它也照转，挺吓人的。在自检过程中也没有任何错误提示，但是在使用替换法更换内存后故障消失。把故障内存放在别的机器上（主板不一样），开机就“嘀嘀”的报警。

九、内存损坏但加电后主机不报警，也不能正常启动

故障机器：主板为硕泰克SL-85DR-C(845D)，CPU为PIV16G，显卡为GForce2 Ti 64M，内存为Kingston DDR 128M，硬盘为迈拓40G。

故障现象：主机能够加电，按下电源开关后，CPU风扇，显卡风扇转动，电源指示灯，硬盘指示灯亮，但是没有正常启动时“嘀”的一声，显示器显示“请检查信号线连接”字样。

故障排除：仔细观察发现有一个特殊的现象，插入DEBUG卡，加电后，显示“03”，大约4秒钟时，主机断电，电源指示灯熄。再过大约2秒钟，主机再次得电，此时“DEBUG”指示由00经03再跳至“AD”后停止，CPU风扇一直转动，但是始终主机不启动。

对于此类黑屏不启动的故障，采用最小系统逐一排除法最有效，首先去掉内存，加电试机，这时主机会叫了，连续报“嘀嘀嘀”三短声一组的报警声。查知：3短系统基本内存(第1个64K)检查失败。这不同于一般内存报警的连续“嘀”声，但可以估计是内存出现问题。

于是把内存插到验机台上，一开机就是连续的“嘀嘀”声，果真内存坏了。

十、内存有问题，但开机后却是连续的八声短“嘀”报警

我们平时遇到的内存报警都是“嘀嘀”的断续长音，但是在华擎主板ASROCK M266A主板上，内存损坏时，报警声却是连续的八声短“嘀”，八声一组。在我第一次遇到此类故障时，也不知道原因所在，因为系统不启动，只有使用DEBUG卡，发现错误代码指示的是内存，就再用替换法，发现是内存问题。把该内存插在其他主板上，提示的错误就是我们经常遇到的连续短“嘀”了。

因为PC机使用的是通用插卡，维修起来也非常简单，只要遵循“先软后硬，最小系统，逐一排除，望闻问切”这十六个字，所有的问题我们都可以解决。再有就是在维修过程中，我们必须经常总结，把平时自己遇到的问题写下来，发现其规律，就能获得新的知识，更加进步。

呵呵，DDR2（也写作DDRII），与双通道不是一回事。

双通道其实是一种技术，需要两根内存条来实现，

而且要求主板支持此项技术；

而DDRII则是指内存类型，与SD、DDR相区别，也可以理解为

“第二代DDR”，所以与“双通道”一点关系也没有。

A地址

1、内存地址只是一个编号，代表一个内存空间。在计算机中存储器的容量是以字节为基本单位的。也就是说一个内存地址代表一个字节（8bit）的存储空间。例如经常说32位的 *** 作系统最多支持4GB的内存空间，也就是说CPU只能寻址2的32次方（4GB）。

2、理解内存。程序和数据平常存储在硬盘等存储器上，不管你开机或关机了，它们都是存在的，不会丢失。硬盘可以存储的东西很多，但其传输数据的速度较慢。所以需要运行程序或打开数据时，这些数据必须从硬盘等存储器上先传到另一种容量小但速度快得多的存储器，之后才送入CPU进行执行处理。这中间的存储器就是内存。

扩展资料：

1、单片机从20H到2FH的16个字节单元，共128位可以按位寻址，对应位寻址空间00H到7FH，所以位地址为40H的单元地址为40H/8+20H=28H；另外特殊功能寄存器中，有16个可以位寻址，查一下表格就行了88H对应的字节地址也为88H

2、同理2AH-20H=0AH，0AH8=50H88H查表，对应的为88H特殊功能寄存器的位寻址有规律可循，需要记忆。

参考资料：

楼上的，人家问内存颗粒是啥样的，你说那么多，拽呀你。

现在还能常见到的内存颗粒有两种：DDR和DDR2。DDR内存颗粒只有两边有引脚并且看上去比DDR2长不少，属于较早的产品现在已经不是很流行，DDR的引脚是暴露在外面的所以安全性较底。DDR2的内存颗粒基本是正方形的看上去也比较小，其封装方式比较先进引脚是看不到的，是现在主流的颗粒。速度上DDR2要快于DDR但也不是绝对。现在也有用DDR2封装方式的DDR内存颗粒，不过这些都可以从内存编号中看出来。

比方：内存颗粒的编号为HY5DU56822BT-D43

这串编号是由14组数字组成的，这14组数字代表着14组不同的重要参数，分别如下：

·“HY”是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

·“5D”是内存芯片类型为DDR，57则为SD类型。

·“U”代表处理工艺及电压为25V。(V：VDD=33V & VDDQ=25V；U：VDD=25V & VDDQ=25V；W：VDD=25V & VDDQ=18V；S：VDD=18V & VDDQ=18V)

·“56”代表芯片容量密度和刷新速度是256M 8K刷新。(64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新)

·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)

·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)

·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)

·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)

·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。

·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)

·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。

·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。

·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)

·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)

里面有更详细更全面的介绍，你看看

>

Samsung内存

具体含义解释：

例：SAMSUNGK4H280838B-TCB0

主要含义：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容 量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。

第11位——连线“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为75ns(CL=3)；7C为75ns(CL=2)；80为8ns；10为10ns(66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNGK4H280838B -TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存 条的容量是128Mbits（兆数位）×16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC 内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数 据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判 定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

Hynix(Hyundai)现代

·“8”是内存条芯片结构，代表改内存由8颗芯片构成。(4=4颗芯片；8=8颗芯片；16=16颗芯片；32=32颗芯片)

·“2”指内存的bank(储蓄位)。(1=2 bank；2=4 bank；3=8 bank)

·“2”代表接口类型为SSTL_2。(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)

·“B”是内核代号为第3代。(空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代)

·能源消耗，空白代表普通；L代表低功耗型，该内存条的能源消耗代码为空，因此为普通型。

·封装类型用“T”表示，即TSOP封装。(T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA)

·封装堆栈，空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J=其它；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)，上述内存为空白，代表是普通封装堆栈。

·封装原料，空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素。该内存为普通封装材料。

·“D43”表示内存的速度为DDR400。(D43=DDR400，3-3-3；D4=DDR400，3-4-4；J=DDR333；M=DDR333，2-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)

·工作温度，一般被省略。I=工业常温(-40～85度)；E=扩展温度(-25～85度)

现代内存的含义：

HY5DV641622AT-36

HYXXXXXXXXXXXXXXXX

123456789101112

1、HY代表是现代的产品

2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDRSDRAM)；

3、处理工艺及工作电压：(空白=5V；V：VDD=33V & VDDQ=25V；U：VDD=25V & VDDQ=25V；W：VDD=25V & VDDQ=18V；S：VDD=18V & VDDQ=18V)

4、芯片容量密度和刷新速率：16=16Mbits、4KRef；64：64M 4K刷新；64=64Mbits、8KRef；65=64Mbits、4KRef；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；128= 128Mbits、8KRef；129=128Mbits、4KRef；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；256=256Mbits、16KRef；257=256Mbits、8KRef ；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新

5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

7、I/O界面：1:SSTL_3、 2:SSTL_2

8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封装形式：JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-Ⅱ，TD=13mmTSOP-Ⅱ，TG=16mmTSOP-Ⅱ

11、工作速度：55:183MHZ、5:200MHZ、45:222MHZ、43:233MHZ、4:250MHZ、33:300NHZ、L:DDR200、H:DDR266B、 K:DDR266A

现代的mBGA封装的颗粒

Infineon（英飞凌）

Infineon 是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为 256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存 颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如： HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即 256MB/8bits。

Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-75——表示该内存的工作频率是133MHz；

-8——表示该内存的工作频率是100MHz。

例如：

1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-75的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-75的内存颗粒生产。其容量计算为：128Mbits（兆数位）×8片/8=128MB（兆字节）。

KINGMAX、kti

KINGMAX内存的说明

Kingmax 内存都是采用TinyBGA封装（Tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全 是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

容量备注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间×4位数据宽度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间×8位数据宽度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间×4位数据宽度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间×8位数据宽度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M地址空间×16位数据宽度。

Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：

-7A——PC133/CL=2；

-7——PC133/CL=3；

-8A——PC100/CL=2；

-8——PC100/CL=3。

例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A的内存颗粒制造，其容量计算为：64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

含义：

MT——Micron的厂商名称。

48——内存的类型。48代表SDRAM；46代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V；C代表5V；V代表25V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

A2——内存内核版本号。

TG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

实例：一条MicronDDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。

其容量计算为：容量32M×4bit×16片/8=256MB（兆字节）。

Winbond（华邦）

含义说明：

WXXXXXXXX

12345

1、W代表内存颗粒是由Winbond生产

2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDRRAM

3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；

4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装

5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：75ns、133MHz；Y：67ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHZ

Mosel（台湾茂矽）

台 湾茂矽科技是台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为V54C365164VDT45，从编号的6、7为65表示 单颗粒为64/8＝8MB，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位T45可知颗粒速度为45ns

NANYA（南亚）、Elixir、PQI、PLUSS、Atl、EUDAR

南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为NT5SV8M16CT-7K，其中第 4位字母“S”表示是SDRAM显存，6、7位8M表示单颗粒容量8M，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7K表示速度为7ns。

AP、Whichip、MrSTONE、Lei、GOLD

Mtec（勤茂）、TwinMOS（勤茂）

V-DATA（香港威刚）、A-DATA（台湾威刚）、VT

内存颗粒编号为VDD8608A8A-6B H0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256M容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周

A－DATA

这是A－DATA的DDR500

以上就是关于内存知识全部的内容，包括:内存知识、内存中每一个基本单元都被赋予一个唯一的编号，称为【 】。、内存颗粒是什么样子的，详细解释等相关内容解答，如果想了解更多相关内容，可以关注我们，你们的支持是我们更新的动力！