半导体不久干耐久性很高，基本上不会磨损或损坏。半导体的寿命由其质量来决定，可以持续使用很长一段时间，而且在空气中会变得很稳定。另外，在正确的条件下，半导体也可以存储长达数十年的信息。因为浪涌和静电击穿半导体掺杂越多寿命越短。根据查询网上相关

1、变压器选用8W、12W均可。制作12稳压电源变压器要选降压18V的，不要太高，也不要太低。2、IC是稳压集成块，不要接错了，引脚说明是印有7812的字样冲向你，从你的左手起向右手边分别是IN（电压输入）、GND（接地）、OUT （12V

伴随着社会的发展，社会各行各业的分工专业化。无论人们从事哪一行业，只要发挥锲而不舍的专研精神，也一定能够把本行业做得精致。在我国，就有一个保镖，通过自己的不懈努力做到了保镖行业的顶尖。他坚持用筷子击穿钢板，经过不懈地努力，终于炼成了筷子把3

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的

品牌型号：Redmibook Pro 15系统：Windows 10单极型半导体器件是场效应管。场效应晶体管主要有两种类型：结型场效应管和金属氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半

击穿jī chuān{电} breakdownpuncturespark-overdisruption击穿二极管耦合触发器breakdown diode-coupled trigger雪崩击穿式半导体激光器avalanche breakdo

MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的 *** 作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急

生产芯片的多呢,不知道你说的哪种。我列举些知名的SILICON系列 NSC (国半)HP（惠普） NEC 系列PHILIPS（飞利浦）ADIFAIRCHILD（飞兆）TI （德州仪器)MAXIM（美信） ATMEL（爱特美尔） ST

PN结（PN junction）。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negati

PN结（PN junction）。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结。PN结具有单向导电性。P是positive的缩写，N是negati

导语：半导体指纹识别有哪些特点呢？相信经过我的介绍之后，大家都已经有了相关的掌握与了解！欢迎大家收藏并分享本文哦~！ 半导体指纹识别有哪些特点主要应用领域： 可嵌入到各种终端产品中，如：门禁、考勤、保险箱、汽车门锁等。1

简单说明如下，半导体的压敏性，当外加电压变化达到某一特定阈值时，导致其导电性能能发生明显变化的性质。例如，压敏电阻。 压敏电阻，是指一类对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。半导体的光敏性，在特定频率的光照下，可导致其电阻率发生变化的

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的

LED英文单词的缩写，主要含义：LED = Light Emitting Diode，发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光；LED = Large Electronic Display，大型电子

一种微微秒Si—PIN光电探测器虽然Si—PIN光电探测器结构与工艺简单,易于批量生产,但用硅材料很难使其响应时间小于100ps。为改善响应及防止高频反射影响,试制中加入了适量的铁磁物质。实验结果表明,研制的这种元件响应速度快,上升时间小于

如图所示：在multisim中可以用交流电源，用二极管对交流电源进行半波整流，并加上负载。把二极管与负载的公共点设为地，把负载上的电压信号（与二极管中的电流成正比，可以把负载电阻作为电流取样电阻）接到A通道。把二极管上的电压信号接到B通

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的

因为有一个是空脚。贴片二极管又称晶体二极管，简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管。贴片二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。晶