N冄V指的是非易失性存储器。只读存储器（Read- Only Memory，ROM）是一种半导体存储器，其特性是一旦存储数据就无法再将之改变或删除，且内容不会因为电源关闭而消失。在电子或电脑系统中，通常用以存储不需经常变更的程序或数据。例

刻蚀技术可分为湿式刻蚀(wet etching)和干式刻蚀(dry etching)两种技术。第五章中已经对湿式刻蚀进行了较详细的介绍。湿式刻蚀具有待刻蚀材料与光阻及下层材质良好的刻蚀选择比（selectivity）。然而，由于化学反应没有

是这样，我们正在学二极管，你看金属导电是靠最外层自由电子，因为金属晶格正离子对最外层电子的束缚能力很弱，所以称它为自由电子，自由移动么。同样对半导体，以硅为例，它要想导电，必须也有自由移动的粒子（说空穴你可能难接受一点，就讲电子了），但晶体

是半导体三极管。ef贴片是半导体三极管，也称为双极晶体管，是在表面贴装技术里面对三个引脚的放大器件的统称。贴片三极管作用是放大，可以把微弱的电信号放大，转换遵循能量守恒，把电源的能量转换成信号的能量。一般情况下，ND&ltNC或NA

PIE：Process Integration Engineer。也有叫PEI，颠倒一下后面两个单词而已，中文：工艺整合工程师或者制程整合工程师。职责主要负责提升工艺技术、提升产品质量，整合诸多个部门资源等。需要非常熟悉半导体产品的设计、制

STI是英文 Subaru Teica International 的简称，成立于1988年4月。 STI隶属于 日本富士重工责任有限公司（Fuji Heavy Industries Ltd，简称FHI），其作用是负责支援斯巴鲁（Suba

一般情况下，ND&ltNC或NA &ltNV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费

离子注入是离子参杂的一种。随着VLSI器件的发展，到了70年代，器件尺寸不断减小，结深降到1um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术比较好的发挥其优势。目前，结深小于1um的平面工艺，基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子注

CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分别对应p阱和N阱，在进行阱注入时，产业内的主流技术多数采用倒掺杂技术来调节晶体管的电学特性，即首先采用高能量、大剂量的离子注入，注入的深度约为

CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分别对应p阱和N阱，在进行阱注入时，产业内的主流技术多数采用倒掺杂技术来调节晶体管的电学特性，即首先采用高能量、大剂量的离子注入，注入的深度约为

离子注入机原理：离子注入机由离子源、质量分析器、加速、四级透镜、扫描系统和靶室组成，可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位，作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频

发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN

n注入和p注入的区别有：1、依据注入的离子所带的外层电子的数量，杂质半导体分为N型和P型。2、注入的离子外层电子比硅多一个，这块半导体就是N型（砷，磷，锑）。3、注入的离子外层电子比硅少一个，那么就是P型（硼）。不会，空穴会和N半导体内的电

自动快速上料，去除静电，Mark检测，外形检测，电性能侧测试，废品回收，自动包装等。半导体测试机是芯片制造必需设备。测试设备贯穿整个半导体制造流程，用于测试半导体的电压、电流等各项参数，以判断芯片有效性。生产三极管的设备可能有MOCVD，光

半导体的掺杂是为了提高半导体器件的电学性能，半导体的很多电学特性都与掺杂的杂质浓度有关。纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元

现有的半导体制造工艺中常需要采用掺杂工艺，掺杂时通常需要先在待掺杂的衬底表面上形成光刻胶图形，覆盖不需要掺杂的区域，然后对从光刻胶图形中露出的区域进行掺杂。在掺杂之后，才能采用灰化工艺(ashing)，将光刻胶图形灰化，以便于后续工艺步骤的

离子注入是离子参杂的一种。 随着VLSI器件的发展，到了70年代，器件尺寸不断减小，结深降到1um以下，扩散技术有些力不从心。在这种情况下，离子注入技术比较好的发挥其优势。目前，结深小于1um的平面工艺，基本都采用离子注入技术完成掺杂。离子

白炽灯的工作原理是，电流通过灯丝时产生热量，螺旋灯丝不断聚集热量，使灯丝的温度达到2000摄氏度以上的白炽状态，灯丝一般采用钨丝，熔点约为3000摄氏度，此时，构成灯丝元件的原子核外的电子将被激发，从而使其以更高的能量跳到外层。当电子再次跳

半导体有源区是有源区是硅片上做有源器件的区域。硅片上做有源器件的区域。（就是有些阱区。或者说是采用STI等隔离技术，隔离开的区域）。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区（掺杂类型相同）在进行互联之前，