cmos集成工艺为什么能将陷阱注入放到sti工艺之后

CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分别对应p阱和N阱，在进行阱注入时，产业内的主流技术多数采用倒掺杂技术来调节晶体管的电学特性，即首先采用高能量、大剂量的离子注入，注入的深度约为 1um，注入区域与阱相同，随后通过大幅降低注入能量及剂量，控制注入深度和掺杂剖面。阱的注入掺杂不仅可以调节晶体管的阈值电压，也可以解决CMOS 电路常见的一些问题，如闩锁效应和其他可靠性问题。

STI是英文 Subaru Tecnica International 的简称，成立于1988年4月。 STI隶属于 日本富士重工责任有限公司（Fuji Heavy Industries Ltd，简称FHI），其作用是负责支援斯巴鲁（Subaru）参与的全球汽车赛事。其中“世界汽车拉力赛（World Rally Championship，WRC）”更加是STI的主要舞台。斯巴鲁WRX的比赛专用发动机，全部由STI组装及调校，然后再运送到其英国的赛车总部SWRT。

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