存储器是现代信息系统最关键的组件之一，已经形成主要由DRAM与NAND Flash构成的超千亿美元的市场。随着万物智联时代的到来，人工智能、智能汽车等新兴应用场景对存储提出了更高的性能要求，促使新型存

作为中国本土半导体制造的龙头企业，中芯国际（SMIC）的新闻及其取得的成绩一直是行业关注的焦点。2017新年伊始，其一如既往地吸引着人们的眼球。前几天，该公司宣布正式出样采用40nm工艺的ReRAM（

在经过2016的一系列扩张之后，近日，Crossbar与中芯国际合作的40nm ReRAM芯片正式出样，再次为芯片国产化发展提振士气。另有数据显示，中芯国际去年销售额增至29.2亿美元，比2015年大

比NAND闪存更快千倍 40纳米ReRAM在中芯国际投产引起业界关注！曾经一度大举退出内存生产的中芯国际，为何锁定瞄准ReRAM？主要原因在于ReRAM应用在物联网（IoT）装置拥有愈长的电池续航力，

到目前为止，新兴的非易失性存储器(eNVM)，如自旋转矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可变电阻式存储器(ReRAM) 和相变存储器(PCM)，由于可扩展性差、成本高以及缺乏主要内存制造商的支持，大多

在今年的剑桥ARM研究峰会上，ARM公司Fellow Greg Yeric畅谈了ARM对众多新兴非易失性存储器的看法。Yeric表示，ARM正在关注这些前沿的存储技术，因为它有可能对逻辑空间产生巨大的

存储器芯片开发的主要挑战是面对日益增长的微处理器性能提高，如何保持同步提供高吞吐速度与较低功耗？面对挑战存储器制造商选择改变计算架构和移至更小的工艺节点生产。除此之外，很多业者也在寻找其他路径，研发更

【导读】：随着大数据、物联网的爆发让存储器市场也一场火爆，价格也一路飙升。生活中的电子产品都离不开存储器。其中，可穿戴设备、医疗电子、工业设备对存储器的性能要求更高。存储器作为电子设备系统的关键组成部

《华尔街日报》前不久的一篇文章指出，近年来智能手机、PC、平板电脑等设备的进化并没有以往那么快速，不过它们正以新的方式推进创新，硬件厂商更多针对特定任务采用定制芯片。没错，技术的多样性正在为各种应用带

物联网领域，覆盖领域繁多，2017年新年过后，机器人、VR、5G领域都有最新产品和频谱划分的演进工作进展，小编汇总最新的新闻，让大家看到最新的趋势。例如美国机器人研发公司Agility RoboTIc

非挥发性电阻式内存（ReRAM）开发商Crossbar Inc.利用非导电的银离子-非晶硅（a-Si）为基板材料，并透过电场转换机制，开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件，同时就像先前

在新材料创新存储技术的研发和生产上，富士通电子作为领导厂商一直在努力追求最极致的存储性能，从FRAM到ReRAM以及NRAM。请随小编一起回顾，我们在追求极致存储技术的道路上的那些最新极致成就吧！1、

上海， 2016-11-08——富士通电子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出业界最高密度4 Mbit ReRAM（可变电阻式存储器）（注1）产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导

ReRAM被业界认为其出现将引发移动、消费电子和联网设备的一系列创新！过去几年，业界相关ReRAM的技术报道层出不穷，而产品却并不多见。前不久松下半导体与富士通合作开发出了业界最高密度4 Mbit R

在预定于2013年2月17~21日举办的国际固态电路研讨会（ISSCC）中，多家厂商提出了先进存储器技术的相关论文。存储器小组委员会主席Kevin Zhang表示，我们将继续看到嵌入式SRAM、DRA

富士通半导体存储器解决方案有限公司推出12Mbit ReRAM(电阻式随机存取存储器)MB85AS12MT，这是富士通ReRAM产品系列中密度最大的产品。ReRAM电阻式随机存取存储器是一种非易失性存

随着对人工智能 (AI) 和内存计算的兴趣显着增加，电阻式随机存取存储器 (ReRAM) 可能成为解锁其模仿人脑能力的关键——但挑战依然存在。去年的 IEDM 汇集了许多关于推进各种内存类型的最新研究

目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片（非易失性阻变式存储器）。2016年3月，Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作，发力中国市场。其中，中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯