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请问IC上面小圆圈 里的T2和U2是什么意思
CSIP是软件与集成电路促进中心的缩写! 广义的讲,IC就是半导体元件产品的统称,包括: 1.集成电路(integratedcircuit,缩写:IC) 2.二,三极管. 3.特殊电子硬之城有这个型号的 可以去看看有这方面的资料么击穿电压是
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半导体击穿电压公式
击穿电压是使电介质击穿的电压,电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下,固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的
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半导体被击穿后导致不能使用,是为什么
半导体器件一般都是硅材料制成的,常见的如二极管,三极管,MOS管,IGBT等,控制器件的最基本结构是PN结,以及硅绝缘层,这些结构的尺寸都非常小,耐电压和电流的能力都有限制,所谓击穿就是半导体内部的一些结被电热击穿,失去原有的特性,因为是物
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半导体中的泊松方程是怎么来的,是什么意思?
泊松方程表明电荷产生电场:电位的二阶导数与电荷密度成正比。近似条件:PIN结中无载流子即全部耗尽,施主和受主完全电离。PIN结的泊松方程:(0<x<Xn)d^2V(x)dx^2=-Ndε,(-Xp&
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半导体击穿电压公式
击穿电压是使电介质击穿的电压,电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下,固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的
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半导体被击穿后导致不能使用,是为什么
半导体器件一般都是硅材料制成的,常见的如二极管,三极管,MOS管,IGBT等,控制器件的最基本结构是PN结,以及硅绝缘层,这些结构的尺寸都非常小,耐电压和电流的能力都有限制,所谓击穿就是半导体内部的一些结被电热击穿,失去原有的特性,因为是物
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怎样用半导体二极管及其电路来解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因,并说明热击穿与电击穿的异同?
雪崩击穿:当加在PN结两端反向电压足够大时,PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大,导致击穿。齐纳击穿:当PN结两端加入高浓度的杂志,在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。热击穿:加在PN结两端的电压和流过PN结
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it图中的Q如何计算
这是存在电感的情况。自感产生的感应电动势E等于电流I对时间t的变化率,乘以自感系数L。互感产生的次级线圈的感应电动势E等于初级线圈的电流I对时间t的变化率,乘以互感系数M。电流对时间的变化率,就是电流对时间的导数,即I-t图像的斜率。比例系
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怎样用半导体二极管及其电路来解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因,并说明热击穿与电击穿的异同?
雪崩击穿:当加在PN结两端反向电压足够大时,PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大,导致击穿。齐纳击穿:当PN结两端加入高浓度的杂志,在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。热击穿:加在PN结两端的电压和流过PN结
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半导体击穿电压公式
击穿电压是使电介质击穿的电压,电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下,固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的
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半导体二极管极其电路:解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因,并说明热击穿与电击穿的异同。
雪崩击穿:当加在PN结两端反向电压足够大时,PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大,导致击穿。齐纳击穿:当PN结两端加入高浓度的杂质,在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。热击穿:加在PN结两端的电压和流过PN结
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PD什么意思
PD的意思是:1、是一部电视剧制作中心的核心领导和负责人,实际上就是制片人兼导演。2、直译为产品设计师,也可能叫产品规划师、需求分析师。制作人的工作主要是规划制作进度表,策划安排进度,安排每日每天的制作进度,寻找制作群制作公司,对外
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半导体击穿电压公式
击穿电压是使电介质击穿的电压,电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下,固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的
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半导体击穿电压公式
击穿电压是使电介质击穿的电压,电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下,固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的
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半导体被击穿后导致不能使用,是为什么
半导体器件一般都是硅材料制成的,常见的如二极管,三极管,MOS管,IGBT等,控制器件的最基本结构是PN结,以及硅绝缘层,这些结构的尺寸都非常小,耐电压和电流的能力都有限制,所谓击穿就是半导体内部的一些结被电热击穿,失去原有的特性,因为是物
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PD是什么意思?
1、在2008MBC演技大赏里延正勋(《伊甸之东》)获得了PD大奖,这里的PD是PD producer 即艺术总监,制作人的意思 PD是一部电视剧制作中心的核心领导和负责人,实际上就是制片人兼导演。制作过程中的重大事情,比如故事大纲的确定,
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有人了解科电Teseq 特测 NSG4070C1 射频传导抗扰度测试系统吗?这个产品有什么特点?
科电Teseq 特测 NSG4070C1 射频传导抗扰度测试系统的产品特点是:NSG 4070C1,即NSG 2070的改进版 — 多功能EMC抗扰度测试系统。NSG 4070C1具有广阔的频率范围(从9 kHz至1 GHz)、使用外部或内
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我想问电场线是谁最先提出来的?
英国物理学家法拉利首先引入了电场强度的图像,他在电场中画了一些线,使这些线上每一点的切线方向都跟该电的场强方向一致,并使线的疏密表示场强的大小,这些线成为电场线。法拉第吧(摘抄)牛顿那个时代还没接触到电吧法拉第 1、发现通电的导线能绕磁铁旋
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电机高压线圈上的高阻带与低阻带有什么不同,各起什么作用?
电机高压线圈上的绝缘带分为高阻带和低阻带,高阻带采用浸半导体高阻漆的无碱玻璃纤维带制成,用于线棒端部部分。低阻带主要有含铁石棉带和浸半导体低阻漆的无碱璃纤维带。铁质石棉带由石棉纤维纱编织而成;低阻带用于线棒线槽部分。 1、低阻材料。主要