科电Teseq 特测 NSG4070C1 射频传导抗扰度测试系统的产品特点是：NSG 4070C1，即NSG 2070的改进版 — 多功能EMC抗扰度测试系统。NSG 4070C1具有广阔的频率范围（从9 kHz至1 GHz）、使用外部或内

科电Teseq 特测 NSG4070C1 射频传导抗扰度测试系统的产品特点是：NSG 4070C1，即NSG 2070的改进版 — 多功能EMC抗扰度测试系统。NSG 4070C1具有广阔的频率范围（从9 kHz至1 GHz）、使用外部或内

人体对物体或两个物体之间产生的静电，可能引起电气，电子设备的电路发生故障，甚至被损坏。所以，模拟静电放电的测试在全世界范围内广泛地应用。静电放电发生器 (ESD Generator) 或叫静电放电模拟器(ESD Simulator)，俗称静

人体对物体或两个物体之间产生的静电，可能引起电气，电子设备的电路发生故障，甚至被损坏。所以，模拟静电放电的测试在全世界范围内广泛地应用。静电放电发生器 (ESD Generator) 或叫静电放电模拟器(ESD Simulator)，俗称静

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的

半导体器件一般都是硅材料制成的，常见的如二极管，三极管，MOS管，IGBT等，控制器件的最基本结构是PN结，以及硅绝缘层，这些结构的尺寸都非常小，耐电压和电流的能力都有限制，所谓击穿就是半导体内部的一些结被电热击穿，失去原有的特性，因为是物

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反向电流迅速增大，导致击穿。齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂质，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。热击穿：加在PN结两端的电压和流过PN结

半导体器件一般都是硅材料制成的，常见的如二极管，三极管，MOS管，IGBT等，控制器件的最基本结构是PN结，以及硅绝缘层，这些结构的尺寸都非常小，耐电压和电流的能力都有限制，所谓击穿就是半导体内部的一些结被电热击穿，失去原有的特性，因为是物

半导体PN结的电流与电压U关系式：=i(e的qUkT次方_1)。q是电子的电荷量，T是绝对温度，单位为K，k常数=1、38*(10的负23次方)K，i是反向饱和电流，U是PN结外加。电压在静态（且无光，热，辐射的影响）半导体的“等效电阻

单方向导电特性。PD是由一个PN结组成的半导体器件，具有单方向导电特性。局部放电(PD)是在高压电气设备绝缘的某些薄弱环节中，在局部强电场的作用下发生的一种微弱放电现象，即绝缘介质尚未发生破坏性击穿，只有部分区域发生放电。直流局部放电与交流

半导体器件一般都是硅材料制成的，常见的如二极管，三极管，MOS管，IGBT等，控制器件的最基本结构是PN结，以及硅绝缘层，这些结构的尺寸都非常小，耐电压和电流的能力都有限制，所谓击穿就是半导体内部的一些结被电热击穿，失去原有的特性，因为是物

物理学中规定，电场中某点的场强的方向跟正点荷在该点所受的电场力的方向相同。在电场中每一点，场强E都有一定的方向。如果在电场中画出一些曲线，使曲线上每一点的切线方向都跟该点的场强方向一致，这样的曲线就叫做电场线。静电场线不闭合，感生电场电

半导体器件一般都是硅材料制成的，常见的如二极管，三极管，MOS管，IGBT等，控制器件的最基本结构是PN结，以及硅绝缘层，这些结构的尺寸都非常小，耐电压和电流的能力都有限制，所谓击穿就是半导体内部的一些结被电热击穿，失去原有的特性，因为是物

匀强电场公式：E=Ud。匀强电场（uniformelectricfield）即在某个区域内各处场强（fieldintensity）大小相等，方向相同，该区域电场为匀强电场。补充：在匀强电场中，力处处相等，加速度不变。电场是电荷及变化磁场周

放入电场中某点的电荷所受的电场力F跟它的电荷量q的比值，叫做该点的电场强度，简称场强。电场强度是用来表示电场的强弱和方向的物理量。实验表明，在电场中某一点，试探点电荷（正电荷）在该点所受电场力与其所带电荷的比值是一个与试探点电荷无关的量。

电场强度的单位Vm（伏特／米）或NC（牛顿／库仑）。如果1C的电荷在电场中的某点受到的静电力是1N，这点的电场强度就是1NC。电场强度的另一单位是伏（特）每米，符号是Vm，它与牛每库相等，即1Vm=1NC。简介电场强度遵从场

1、等势面（equipotential surface）指静电场中电势相等的各点构成的面。等势面是电场中电势相等的点构成的平面。正点电荷的等势面是以点电荷所在位置为圆心，半径不等的球面。由于画在纸面上的表现不出空间结构，好像是你图中的圆圈一

主要是采用强磁场方式进行消磁。例如中超伟业磁性存储介质消磁机，内置用于检测场强强度的场强检测仪、电压检测仪和电压增益补偿电路，具备指纹开关智能管理功能，是一款非常全面的磁性存储介质数据消磁机。显像管的彩色电视或显示器开机时由于内部的电流产生

电场强度的方向可由电荷受到电场力的方向来判断：正电荷所受电场力方向与该点场强方向一致，负电荷所受电场力方向与该点场强方向相反。电场强度是用来表示电场的强弱和方向的物理量。实验表明，在电场中某一点，试探点电荷(正电荷)在该点所受电场力与其所