一、性质：六硼化钙的分子式CaB6，是黑灰色粉末，溶点为2235℃，相对密度（15℃）2.33gcm3，硬度（莫氏）9，不溶于盐酸、氢氟酸、稀硫酸。不溶于水，能被氯、氟、硝酸及过氧化氢等氧化剂所侵蚀，与碱反应很慢。在常温下，空气中稳定不

衬底是具有特定晶面和适当电学，光学和机械特性的用于生长外延层的洁净单晶薄片。化工学衬底最常见的为氮化物衬底材料等。氮化物衬底材料的研究与开发增大字体复位宽带隙的GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器，以及高温微电子器件方面显

可以用金子做半导体吗？金子不是本征半导体，可以掺杂到半导体中，制成掺杂半导体。但工艺复杂，性能没有提高，成本又高。不会这样去做。目前制造半导体一般还是用第三到第六主族元素和第二副族的部分元素。（硼、铝、碳、硅、镓、锗、砷、硒、铟、锑、碲、镉

新型无机非金属材料高频绝缘材料氧化铝、氧化铍、滑石、镁橄榄石质陶瓷、石英玻璃和微晶玻璃等铁电和压电材料钛酸钡系、锆钛酸铅系材料等磁性材料锰-锌、镍-锌、锰-镁、锂-锰等铁氧体、磁记录和磁泡材料等导体陶瓷钠、锂、氧离子的快离子导体和碳化硅等半

A、金、银、铜、铁都是金属材料，硅属于非金属材料，故A错误；B、无机非金属材是以某些元素的氧化物、碳化物、氮化物、卤素化合物、硼化物以及硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、硼酸盐等物质组成的材料．是除有机高分子材料和金属材料以外的所有材料的统称，半

RZ-20、RZ-25、RZ-30和RZ-35。隆基公司的单晶炉主要有RZ-20、RZ-25、RZ-30和RZ-35四种型号，它们都是非常高效的单晶炉，可以用于生产各种类型的半导体材料，包括氮化物、硅和硅酸盐等。它们都具有良好的热稳定性和电

一、性质：六硼化钙的分子式CaB6，是黑灰色粉末，溶点为2235℃，相对密度（15℃）2.33gcm3，硬度（莫氏）9，不溶于盐酸、氢氟酸、稀硫酸。不溶于水，能被氯、氟、硝酸及过氧化氢等氧化剂所侵蚀，与碱反应很慢。在常温下，空气中稳定不

衬底是具有特定晶面和适当电学，光学和机械特性的用于生长外延层的洁净单晶薄片。化工学衬底最常见的为氮化物衬底材料等。氮化物衬底材料的研究与开发增大字体复位宽带隙的GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器，以及高温微电子器件方面显

A、金、银、铜、铁都是金属材料，硅属于非金属材料，故A错误；B、无机非金属材是以某些元素的氧化物、碳化物、氮化物、卤素化合物、硼化物以及硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、硼酸盐等物质组成的材料．是除有机高分子材料和金属材料以外的所有材料的统称，半

性状：古铜色固体。其晶体结构为立方结构 密度（gmL,254℃）：5.43 熔点（oC）：3290 溶解性：不溶于水，微溶于王水、硝酸、氢氟酸。 20.电阻率（μΩ·cm）：25 21. 热导率（W(m·K)）：29.1 22. 热膨

个人电脑 —— パソコン（Personal Computer）台式电脑 —— デスクトップ.コンピュータ（desktop computer）笔记本电脑—— ノート型パソコン文字处理器—— ワープロワードプロセッサ（Wo

性状：古铜色固体。其晶体结构为立方结构 密度（gmL,254℃）：5.43 熔点（oC）：3290 溶解性：不溶于水，微溶于王水、硝酸、氢氟酸。 20.电阻率（μΩ·cm）：25 21. 热导率（W(m·K)）：29.1 22. 热膨

可以用金子做半导体吗？金子不是本征半导体，可以掺杂到半导体中，制成掺杂半导体。但工艺复杂，性能没有提高，成本又高。不会这样去做。目前制造半导体一般还是用第三到第六主族元素和第二副族的部分元素。（硼、铝、碳、硅、镓、锗、砷、硒、铟、锑、碲、镉

可以用金子做半导体吗？金子不是本征半导体，可以掺杂到半导体中，制成掺杂半导体。但工艺复杂，性能没有提高，成本又高。不会这样去做。目前制造半导体一般还是用第三到第六主族元素和第二副族的部分元素。（硼、铝、碳、硅、镓、锗、砷、硒、铟、锑、碲、镉

封装的主要生产过程包括：晶圆切割，将晶圆上每一晶粒加以切割分离。粘晶，（Die-Attach）将切割完成的晶粒放置在导线架上。焊线，（Wire Bond）将晶粒信号接点用金属线连接至导线架上。封胶，将晶粒与外界隔绝。检切成型，将封胶后多余

碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）。1、碳化硅（SiC）碳化硅，化学式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自18

氮是具有最高电负性的元素之一，只有氧，氟和氯比它更高。这就意味着氮化物由一大组化合物构成。它们有广泛的性质和应用。折射材料润滑剂，如六方氮化硼—BN切割材料，如氮化硅—Si3N4绝缘体，如氮化硼—BN、氮化硅—Si3N4半导体，如氮化镓—G

是。 P型层和N型层使用的是氮化铝镓材料，在P型层和N型层的各一侧的覆盖层同样使用了氮化铝镓材料，所以氮化铝镓是p型。铝镓氮（AlGaN），也称为氮化铝镓，是由铝、镓、氮构成的三元化合物，属于氮化物半导体，是一种重要的宽带隙半导体材料。n型

是。 P型层和N型层使用的是氮化铝镓材料，在P型层和N型层的各一侧的覆盖层同样使用了氮化铝镓材料，所以氮化铝镓是p型。铝镓氮（AlGaN），也称为氮化铝镓，是由铝、镓、氮构成的三元化合物，属于氮化物半导体，是一种重要的宽带隙半导体材料。氮化