损耗角正切值是电容电损耗的比例，如果对一个电容加上一个电压，除了对电容充电的电流外还有漏掉的电流（电容的漏电流），漏电流被消耗成了热能，因此表示为电阻上的电流。漏电流与纯电容的充电电流之比就是电容损耗角正切值（理论上纯粹的电容是不耗电功率的

1. Low-k 是采用低电导材质做的, 可以做很多层, wafer比较脆          2. silicon wafer都说是硅做的, 单晶硅, 很纯99.999....1、硅晶圆的基材都是纯硅；2、所谓的Low－K材质，其实是在0.

在65nm时代，漏电一直是降低处理器良品率、阻碍性能提升和减少功耗的重要因素。而随着处理器采用了45nm工艺，相应的核心面积会减少，导致单位面积的能量密度大幅增高，漏电问题将更加凸显，如果不很好解决，功耗反而会随之增大。而传统的二氧化硅栅极

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的

在65nm时代，漏电一直是降低处理器良品率、阻碍性能提升和减少功耗的重要因素。而随着处理器采用了45nm工艺，相应的核心面积会减少，导致单位面积的能量密度大幅增高，漏电问题将更加凸显，如果不很好解决，功耗反而会随之增大。而传统的二氧化硅栅极

玻璃不是导体也不是半导体，是绝缘体；但条件发生变化即红炽状态的玻璃就变成导体了。玻璃是非晶无机非金属材料，一般是用多种无机矿物(如石英砂、硼砂、硼酸、重晶石、碳酸钡、石灰石、长石、纯碱等)为主要原料，另外加入少量辅助原料制成的。玻璃是绝缘体

在65nm时代，漏电一直是降低处理器良品率、阻碍性能提升和减少功耗的重要因素。而随着处理器采用了45nm工艺，相应的核心面积会减少，导致单位面积的能量密度大幅增高，漏电问题将更加凸显，如果不很好解决，功耗反而会随之增大。而传统的二氧化硅栅极

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的

芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构装工序（Packaging）。测试工序（Initial Test and Final Test）等几个步骤。其中晶圆处理工

这是纯微电子的东西，跟PCB没半毛钱关系。芯片上不同MOS管之间是靠金属或者多晶硅互联的，越是复杂的芯片，这个互连线越是不可能在一层之内布完，于是就有好几层互连线，不同层互连线之间就要有ILD来隔离并支撑。任意两根导线之间都有电容，ILD介

电介质的特征是以正、负电荷重心不重合的电极化方式传递或记录（存储）电的作用和影响；在其中起主要作用的是束缚电荷。电介质物理主要是研究介质内部束缚电荷在电或和光的作用下的电极化过程，阐明其电极化规律与介质结构的关系，揭示介质宏观介电性质的微观

（一）按照形态电介质以形态来分可以分成气体，液体和固体三大类。空气就是一种电介质，在通常情况下都是以空气力介质的，比如常见的空气开关。液体介质常见的有介质油，主要用在油开关中。该种油的作用不但起绝缘的作用，还起着灭弧作用。还有变压器中所

玻璃不是导体也不是半导体，是绝缘体；但条件发生变化即红炽状态的玻璃就变成导体了。玻璃是非晶无机非金属材料，一般是用多种无机矿物(如石英砂、硼砂、硼酸、重晶石、碳酸钡、石灰石、长石、纯碱等)为主要原料，另外加入少量辅助原料制成的。玻璃是绝缘体

一个关键的晶体管部件是由一张石墨烯的边缘制成的。刻蚀在硅上的晶体管不断缩小的特性，一直需要推动制造技术的前沿。然而，像石墨烯和碳纳米管这样的原子薄材料的发现，提出了用这些材料的自然属性，取代我们的制造需求的前景。如果，你可以简单地使用

死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压。当外加正向电压Uk很低时，由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，

一般的电器元件都是有电压限制的，不能超过它的耐压值，超过了这个电压就会击穿，元件就是损坏了。这个会使元件击穿的电压就叫做击穿电压。击穿电压是使电介质击穿的电压。电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体,称为电介质击穿,所对应的电压

介电常数是反映压电智能材料电介质在静电场作用下介电性质或极化性质的主要参数，通常用ε来表示。不同用途的压电元件对压电智能材料的介电常数要求不同。当压电智能材料的形状、尺寸一定时，介电常数ε通过测量压电智能材料的固有电容CP来确定。根据物

近年来，摩尔定律的发展方向似乎遇到了一些瓶颈。按照此前的预期，集成电路的晶体管数量有望每隔一段时间翻番。但现实是，随着制程的不断演进，热管理已成为了芯片突破的一个重要挑战。 好消息是，弗吉尼亚大学工程学院和西北大学的研究人员们，刚刚打造了

不同厚度、不同掺杂类型、不同密度、不同表面状况等的半导体材料，光吸收系数都不相同。顺便说一句，因为光吸收系数与材料的介电常数虚部直接有关，所以不同厚度、不同掺杂浓度和不同密度的材料，其介电常数也将不相同。介电常数是反映压电智能材料电介质在静