介电常数计算公式是ε=4πKdCS，相关知识介绍如下：1、简介：介电常数是反映压电智能材料电介质在静电场作用下介电性质或极化性质的主要参数，通常用ε来表示。不同用途的压电元件对压电智能材料的介电常数要求不同。当压电智能材料的形状、尺寸一

智东西12月15日消息，近日在IEEE电子器件会议（IEDM）上，台积电、加州大学圣地亚哥分校、斯坦福大学的工程师介绍了一种新的制造工艺，能够更好地控制碳纳米晶体管沉积高K电介质，这种控制对于确保晶体管在需要时完全关闭至关重要。简单地说，该

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的

地面可以导电，因为地面土壤内含有矿物质、金属。鞋不算导体，因为鞋底一般由橡胶制成的，应归入绝缘体异类，但具体还得看是哪一种鞋。---------------------------------导体（conductor）是指电阻率很小且易于传

介电常数是反映压电智能材料电介质在静电场作用下介电性质或极化性质的主要参数，通常用ε来表示。不同用途的压电元件对压电智能材料的介电常数要求不同。当压电智能材料的形状、尺寸一定时，介电常数ε通过测量压电智能材料的固有电容CP来确定。根据物

在65nm时代，漏电一直是降低处理器良品率、阻碍性能提升和减少功耗的重要因素。而随着处理器采用了45nm工艺，相应的核心面积会减少，导致单位面积的能量密度大幅增高，漏电问题将更加凸显，如果不很好解决，功耗反而会随之增大。而传统的二氧化硅栅极

据我所知，目前，压电元件材料一般有三大类，即压电晶体、压电半导体和压电陶瓷材料。压电材料中研究得比较早的压电晶体是石英晶体，它的机电性能稳定，没有内耗，它在频率稳定器、扩音器、电话、钟表等领域里都有广泛应用。此外，酒石酸钾钠、磷酸二氢胺、钽

介电常数是相对介电常数与真空中绝对介电常数乘积。那么你对介电常数了解多少呢?以下是由我整理关于什么是介电常数的内容，希望大家喜欢!介电常数的介绍 介质在外加电场时会产生感应电荷而削弱电场，原外加电场(真空中)与介质中电场的比值即为相对介

电导率9.93×10的6次方(米欧姆)，就是9930000米欧姆铁磁性材料的相对磁导率μr=μμ0如铸铁为200～400；硅钢片为7000～10000；镍锌铁氧体为10～1000；镍铁合金为2000；锰锌铁氧体为300～5000。电介

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的

微电子学与固体电子学考研的专业课与报考单位有关，具体的专业课考试科目以招生单位的专业目录为准。例如，天津大学(080903)微电子学与固体电子学考研的专业课为(813)半导体物理或电介质物理 。具体考试科目情况如下：1 (101)思想政治理

low-k是一种“绝缘材料”。所有材料从导电特性上可分为导体和绝缘体两种类型，导电性能良好的材料称为电的良导体或直接称为导体，不导电的材料称为电的不良导体或者称作绝缘体。导体中含有许多可以自由移动的电子，而绝缘体中电子被束缚在自身所属的原子

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的

击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。 在强电场作用下，固体电介质丧失电绝缘能力而由绝缘状态突变为良导电状态。导致击穿的

影响cmos阈值电压的因素：1、栅氧化层厚度TOX2、衬底费米势3、金属半导体功函数差4、耗尽区电离杂质电荷面密度 耗尽区电离杂质电荷面密度近似地与衬底杂质浓度N的平方根成正比5、栅氧化层中的电荷面密度Qox阈值电压 （Threshold

电介质 可以认为为绝缘体 没有或有很少的载流子可供导电。导体有稳定的 载流子，既电子可以在价带上自由运动 施加电场便有电流发生。半导体需要电子在能带之间激发跃迁，才能有稳定的载流子（空穴或电子），所以在特定时候能够导电，表现出导体和绝缘体两

霍尔效应霍尔效应是美国物理学家霍尔（E.H.Hall，1855—1938）于1879年发现电磁效应的一种。当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔

电介质的特征是以正、负电荷重心不重合的电极化方式传递或记录（存储）电的作用和影响；在其中起主要作用的是束缚电荷。电介质物理主要是研究介质内部束缚电荷在电或和光的作用下的电极化过程，阐明其电极化规律与介质结构的关系，揭示介质宏观介电性质的微观