mos管为什么要加驱动 直接g极接PWM信号不行么？

驱动芯片
1 可以提供更大的驱动电流，或者更高的驱动电压
2 有的时候把一个PWM信号分解成互补(或者同向但有一点时间差)的两个信号，来同时驱动不同MOS
3 有的时候进行信号隔离，将一些不是以地为参考点的MOS进行驱动
暂时先想到这么多 希望其他兄弟补充

IRF3205 或IRF4905 等场效应管就可以，我弄这做过驱动电机的H桥电路，不错
这就是三脚的，功率较大。当然也还有其他的。
输出PWM信号采用方法：用51 单片机的定时器设计可以，先设定周期，通过按键来改变定时器的初始值，实现脉宽可调，输出的脉冲信号加到IRF3205的栅极，当然在输出信号与IRF3205的栅极加一个光电耦合器更好，实现隔离

AO3401L 分类: P-Channel Enhancement 场效应管 -30V , -4A 导通电阻（RDS）:012Ω
耗散功率： 60W 基栅反向耐压： 10
IRF4905,IRF5305,IRF9530, IRF9540
如果SOT-23 封装，：
IRLML5203 P-Channel -30v, 3A 栅反向耐压:20v,导通电阻（RDS）： 0165Ω
IRLML9301 P-Channel -30v, 36A 栅反向耐压:20v,导通电阻（RDS）： 0103Ω
IRLML9303 P-Channel -30v, 23A 栅反向耐压:20v,导通电阻（RDS）： 0270Ω
以及Si2306DS，Si2307DS等均30v3A以上，
si2343DS -30v, 4A 栅反向耐压:20v,导通电阻0053Ω,这个最匹配
这种封装大电流的实在不多，其实还是用回原来的AO3401最好，网上很多很便宜￥03-08元。

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