2013年5月29日，中国北京讯 — 赛灵思公司 （Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX） ）和台积公司公司（TWSE： 2330， NYSE： TSM）今天共同宣布联手推动一项赛灵思称

赛灵思（Xilinx）将抢先在竞争对手Altera之前，发表16纳米鳍式场效电晶体（FinFET）现场可编程门阵列（FPGA）。面对Altera采用英特尔（Intel）14纳米三门极电晶体（Tri-g

FPGA在系统中表现出的特性是由芯片制造的半导体工艺决定的，当然它们之间的关系比较复杂。过去，在每一节点会改进工艺的各个方面，每一新器件的最佳工艺选择是尺寸最小的最新工艺。现在，情况已不再如此。取而代

加利福尼亚州山景城，2013年2月—新思科技公司（Synopsys）在过去五年多与行业领导者合作共同开发了对FinFET技术的支持，通过提供经生产验证的设计工具与IP来推进对FinFET技术的采用。亮

荷兰埃因霍温——2021年6月2日——全球汽车处理市场领导者恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.，纳斯达克代码：NXPI）携手台积公司（TWSE：2330，纽约证券交易所代码：

大家都在谈论FinFET——可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜（FDSOI）的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成

相关消息指出，联发科在旗舰款处理器Helio X20之后，将计画持续推出改良款Helio X22，并且将于后续推出新款Helio X30，预期以台积电16nm制程FinFET技术制作。但若从联发科稍早

ARM （LSE:ARM; Nasdaq： ARMH） 和Cadence （NASDAQ： CDNS） 日前宣布合作细节，揭示其共同开发首款基于台积电16纳米FinFET制程的ARM®Cortex™-

自从ARM决定从行动装置跨足到伺服器市场后，无不加快自己在制程技术上的脚步，好能跟Intel一决高下，不过当然还是必须协同主要合作夥伴（台积电与三星）的技术进度。对ARM来说，去年年底宣布成功试产（T

微处理器设计公司ARM与台积电今天共同宣布，首个采用台积电下下代16nm工艺制程FinFET技术生产的ARM Cortex-A57处理器已成功流片。Cortex-A57处理器为ARM旗下性能最高的处理

FinFET简介FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor；FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人是

俄勒冈州威尔逊维尔，2015 年 9 月 21 日- Mentor Graphics公司（纳斯达克代码：MENT）今天宣布，Calibre® nmPlatform 已通过TSMC 10nm FinFE

益华电脑（Cadence Design Systems）宣布，该公司的系统芯片开发工具已经通过台积电（TSMC） 16纳米 FinFET 制程的设计参考手册（design rule manual，DR

随着20nm SoC已进入开发阶段，14nm、10nm甚至7nm工艺均在逐步推进中。众所周知，在EDA行业，20nm工艺要解决的是支持双重图形（Double Patterning）的问题。明导公司(M

在新思科技（Synopsys）于美国硅谷举行年度使用者大会上，参与一场座谈会的产业专家表示，鳍式电晶体（FinFET）虽有发展潜力，但也有风险，而且该技术的最佳时机尚未达到。来自晶圆代工业者Globa

美国加州圣何塞， 4月8日， 2013 —— Cadence设计系统公司（Cadence Design Systems， Inc.）（纳斯达克代码：CDNS）今日宣布与TSMC签订了一项长期合作协议，

加利福尼亚州山景城，2013年1月—亮点：该里程碑有助于加速对FinFET技术的采用，以实现更快和更高能效的系统级芯片（SoC）该合作为3D器件建模和物理设计规则支持奠定了基础测试芯片验证了FinFE

虽然全世界主要的移动处理器都使用了ARM架构，不过ARM“薄利多销”的生存方式使得他们并没有从中赚到多少真金白银，2015年Q2季度营收为 3.57亿美元(2.28亿英镑)，同比增长了15%，当季出货

MIPI SoundWire协议是一个简单、统一的音频接口，已发展到众多市场，特别是移动应用，可替代多种高引脚数连接，从而实现可扩展性和灵活性，改善功耗并减少延迟。MIPI SoundWire非常适合