中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心的科研团队艰苦攻关，成功开展22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设，在我国首先开展该技术攻关。“高配”团队迎挑战作为集成电路先导中心特聘的“千人计划”专家

实现14纳米芯片生产可能会比原先想象的更困难，出席国际物理系统研讨会（ISPD）的专家指出。ISPD是全球下一代半导体设计师荟萃的年会。半导体缩微过去通常可实现更小、更快的芯片，因为时钟速度和电源电压

FinFET技术是电子业界的新一代先进技术，是一种新型的多重闸极3D电晶体，提供更显着的功耗和效能优势，远胜过传统平面型电晶体。Intel已经在22nm上使用了称为叁闸极（tri-gate）的FinF

FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的F

IBM在Common Platform技术论坛上展示了蓝色巨人对未来晶圆的发展预测，Common Platform是IBM、Globalfoundries和Samsung的联盟，旨在研究3D晶体管Fi

全球晶圆代工业者正加紧展开FinFET布局。继格罗方德宣布将于2013年量产14奈米FinFET后，台湾晶圆双雄台积电与联电亦陆续公布FinFET制程发展蓝图与量产时程表，希冀藉此一新技术，提供IC设

虽然开发先进微缩制程的成本与技术难度愈来愈高，但站在半导体制程前端的大厂们仍继续在这条道路上努力着。Cadence日前宣布，配备运用IBM的FinFET制程技术而设计实现之ARM Cortex-M0处

台积电在10月16日的年度大会中，宣布制订了20nm平面、16nmFinFET和2.5D发展蓝图。台积电也将使用ARM的第一款64位元处理器V8来测试16nmFinFET制程，并可望在未来一年内推出首

GLOBALFOUNDRIES推出专为成长快速的行动市场所设计的新技术，加速其顶尖的发展蓝图。该公司推出的14nm-XM技术，将为客户提供3D「FinFET」电晶体的效能及能源优势，不仅可降低风险，更

逆向工程分析公司 Chipworks 稍早前公布英特尔（Intel） 22nm Ivy Bridge处理器的剖面图，从中可见英特尔称为叁闸极（tri-gate）电晶体的FinFET元件，从剖面图看来，

在22nm，或许是16nm节点，我们将需要全新的晶体管。而在这其中，争论的焦点在于究竟该采用哪一种技术。这场比赛将关乎到晶体管的重新定义。在2220nm逻辑制程的开发中，业界都争先恐后地推出各种新的

晶圆代工龙头台积电7纳米制程再迈进一步，宣布与旗下客户包括Xilinx（赛灵思）、ARM（安谋国际）、Cadence Design Systems（益华电脑）等公司联手打造全球首款加速专属快取互联一

物联网（IoT）应用将带动全耗尽型（Fully Detleted）制程技术加速成长。为满足低功耗、低成本、高效能之设计需求，格罗方德（GlobalFoundries）除持续发展14纳米及7纳米鳍式晶体

5G时代即将拉开序幕。近日，雄安新区规划纲要落地，与雄安新区创新驱动战略息息相关的网络通信基础设施实施千兆光纤一步到位，率先规模商用实验5G 。目前，中国移动已经完成在雄安新区首个5G-V2X自动远程

在今年度的国际固态电路会议（ISSCC 2016）上，有两款车用系统单芯片（SoC）成为数位处理器议程中最有趣、最大胆创新的芯片技术展示；它们比分别由联发科（MediaTek）与AMD所发表的最新智能

打开这一年来半导体最热门的新闻，大概就属FinFET了，例如：iPhone 6s内新一代A9应用处理器采用新晶体管架构很可能为鳍式晶体管（FinFET），代表FinFET开始全面攻占手机处理器，三星与

加利福尼亚，圣克拉拉（2017年6月14日）—— 格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的（7LP）FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用

2014年5月20日，中国——全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司（NASDAQ： CDNS）今天宣布，立即推出基于台积电16纳米FinFET制程的DDR4 PHY IP（知识产权）。1

大家都在谈论FinFET——可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜 （FDSOI）的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将