Micro LED被誉为新时代显示技术，但目前仍面临关键技术、良率、和成本的挑战。微米级的Micro LED已经脱离了常规LED工艺，迈入类IC制程。相对其它竞争方案，大尺寸硅衬底氮化镓（GaN）Mi

目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上 GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学与厦门华

芯片是五面发光的，通常需要将将芯片置于支架内，反光杯的开口面积远大于芯片发光面积，导致单位面积光通量低，芯片表面颜色均匀性非常差，芯片正上方偏蓝，而外圈偏黄。基于氮化镓的蓝白光LED的芯片结构强烈依

引言研究了用于制造聚合物光波导的旋涂聚合物粘合薄膜在硅衬底上的界面粘合。通过使用光刻工艺在硅衬底上制造粘合剂剪切按钮，并用D2400剪切测试仪测量界面粘合。在同一样品的不同部分发现不同的粘合强度。在基

我们华林科纳研究使用直接连接法连接玻璃和硅酮基板，并在炉内进行了长时间低温热处理，以提高对此的连接强度。另外，查明了直接连接法中很重要的基材清洗工艺和表面粗糙度的效果。本实验通过这两种清洗方法进行标识