最近IMEC发布了他们在先进制程工艺上激动人心探索的成果——基于水平纳米线的围栅晶体管。水平纳米线围栅晶体管是FinFET技术的一种自然延伸，在工艺上他们有很多相似之处，目前FinFET的所采用的制造

2013年4月16日，德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司（FSE： IFXOTCQX： IFNNY）今日发布一个可取代十余个独立器件从而简化系统设计和生产工作的收发器产品线。由于功耗更低，这一高度集

加利福尼亚州，圣克拉拉市， 2016年5月23日——格罗方德半导体（GlobalFoundries）于今日宣布针对硅锗（SiGe）高性能技术组合，推出新一代射频芯片解决方案。该项技术专为需要更优性能解

美高森美公司（Microsemi CorporaTIon，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC）日前推出世界首款单晶片硅锗（SiGe）RF前端（FE）器件LX5586，该模块用于IEEE 802.11ac

SiGe半导体推出带蓝牙端口的单芯片集成式前端模块SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 宣布扩大其无线LAN和蓝牙(Bluetooth™) 产品系列，推出带有蓝牙端口的高性能

技术平台的独特定位开启“互联智能”向5G过渡的全新时代格芯（GLOBALFOUNDRIES）公布了针对一系列技术平台而制订的愿景和路线图，这些技术平台旨在帮助客户过渡到下一代5G无线网络。格芯为多种5

电感在射频单片集成电路中具有重要作用，主要具备阻抗转换、谐振、反馈、滤波等功能。随着无线通信技术的迅速发展，电子产品越来越向高速化、微型化，便携化方向发展。由于无源电感占据了射频集成电路大部分的芯片面

Maxim推出线性度最高的上下变频SiGe混频器Maxim推出业内性能最佳的完全集成、2300MHz至4000MHz SiGe无源混频器MAX2044。器件专为LTE、WiMAX™和MMDS无线基础

SiGe全新高集成度前端模块为WLAN产品载入集成PA选择SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor) 宣布扩大其无线LAN和蓝牙(Bluetooth) 产品系列，推出带有蓝牙端口的

SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor)现已扩展其PointCharger产品线，推出型号为SE4110L的无线IC，可满足配备全球定位系统(GPS)功能的手机及便携式消费电子产品的

这篇应用笔记描述了硅锗技术是如何提高RF应用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪声的影响。SiGe技术显示出更宽的增益带宽从而可以给出更小的噪声。SiGe技术在线性度方面的影响还在研究中

SiGe双极和 BiCMOS 工艺技术,在传输的两端扮演了一个支撑角色。 第三代 (3 G) 无线通信正在快速地变成现实。3 G 得以成功实施，一个重要的原因是在传输的两端扮演了支撑角色的锗硅 (Si