美高森美推出世界首款单晶片硅锗RF前端器件LX5586

美高森美推出世界首款单晶片硅锗RF前端器件LX5586,第1张

美高森美公司(Microsemi CorporaTIon,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC)日前推出世界首款单晶片硅锗(SiGeRF前端(FE)器件LX5586,该模块用于IEEE 802.11ac标准的第五代Wi-Fi产品。凭借业界领先的高集成度和高性能SiGe制程技术,LX5586 RF 前端具备超越现有技术的性能与价格优势。

这款RF 前端器件专为与Broadcom的BCM4335组合晶片搭配使用而设计,适用于智能手机和平板电脑等移动平台。BCM4335是业界第一个基于IEEE 802.11ac标准的组合晶片解决方案,该标准又名5G WiFi,并且已被广泛部署。

“我们很高兴与Broadcom携手进入802.11ac市场。LX5586是现今市场上最小、最可靠、最高性能的解决方案,是我们向客户介绍的高整合度Wi-Fi子系统系列中第一款产品。”美高森美公司副总裁兼总经理Amir Asvadi表示:“这一款创新前端解决方案为Broadcom的5G WiFi产品提供了固有的可靠性和价格优势,超越了传统的多晶片前端模块产品。”

“Broadcom正在所有主要的无线产品领域实现5G WiFi生态系统。”Broadcom公司移动无线连接组合产品部门副总裁Rahul Patel表示:“美高森美新型RF功率放大解决方案进一步增强了5G WiFi技术的吸引力,这项技术获业界认可为本年度其中一项最重要的创新无线技术。”

产业调研机构NPD In-Stat指出,802.11ac市场将会快速成长,到2015年晶片组付运量将会超过6.5亿,整体Wi-F晶片组销售额将达到61亿美元,预计802.11ac的三大市场将是智能手机、笔记本电脑和平板电脑。

美高森美LX5586器件的主要技术特性包括:

• 完全整合式单晶片,内置802.11ac 5GHz PA/LNA器件,带有旁路和SPDT天线开关

• 2.5x2.5mm的小面积封装和仅0.4mm的高度

• 在1.8% EVM情况下具有16dBm的超线性功率输出,256QAM调变超过80MHz频宽

• 所有接脚均具有1000V (HBM) 高ESD保护能力

封装和供货

LX5586器件采用2.5 x 2.5 mm 16接脚QFN封装。

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原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2623766.html

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