本文中心议题：ARM官方发言人最近发表了一个申明并不看好Intel最近宣布的22nmTri-Gate技术，并认为这其实是一场作秀而已。Intel发明3D晶体管技术22nm工艺采用Intel最近宣布的T

本文中心议题：英特尔（Intel）于日前宣布芯片设计创新，外界认为，主要是为摆脱英国芯片大厂ARM的威胁。ARM对英特尔在微处理器行业的统治地位构成挑战。但是ARM却表明立场：面对Intel 3D晶体

近年来半导体业最大的新闻，莫过于各家厂商都推出了3D晶体管，一扫过去深度纳米制程毫无进展的阴天心情。原本卡在半空中很久的30纳米以下制程，以及大家都一致唱衰的摩尔定律必破论，似乎又被丢到了垃圾筒里去了

FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的F

TSV技术应用即将遍地开花。随着各大半导体厂商陆续将TSV立体堆叠纳入技术蓝图，TSV应用市场正加速起飞，包括影像感应器、功率放大器和处理器等元件，皆已开始采用；2013年以后，3D TSV技术更将由

为了在硅芯片上挤入更多的元件，英特尔已开始大规模生产基于3-D晶体管的处理器。这一举动不仅延长了摩尔定律(根据该定律，每块芯片上的晶体管数量每两年就会翻一番)的寿命，而且有助于大幅提升处理器的能效和运

Intel Ivy Bridge处理器只是一次制程升级，对CPU性能来说没什么特别的，但是就制造工艺而言，Ivy Bridge不啻于一场革命，因为它不仅是首款22nm工艺产品，更重要的是Intel将从

3D晶体管技术革新现代电子产业从前面关于3D Tri-Gate工艺的介绍来看，这一创新技术给桌面处理器带来了无“限”可能，实际上，Tri-Gate工艺还将引发现代电子产业的革新。Intel将在以上五家

Achronix 半导体公司今日宣布了其 Speedster22i HD和HP产品系列的细节，它们是将采用英特尔22nm 3D晶体管技术工艺制造的首批现场可编程门阵列（FPGA）产品。Speedste

12月11日消息，据外媒《华尔街日报》报道，英特尔周一公布的技术文件显示，公司计划将“3D晶体管”工艺应用到移动芯片的生产上，以改进自家产品在智能手机和平板电脑上的性能及能耗表现。英特尔于去年推出“3

芯片制造工业竞赛中不断升温，对制造出更快、更省电的芯片的追求越演越烈。有分析师认为，合约芯片制造商GlobalFoundries如果照现在的势头发展下去，在2014年该公司的生产技术便可和Intel的