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半导体FD-SOI制程的决胜点在14nm!
产业资深顾问Handel Jones认为,半导体业者应该尽速转移14纳米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程,利用该技术的众多优势…半导体与电子产业正努力适
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FinFET教父预测:新电晶体点燃芯片产业未来
“不必担心‘摩尔定律’(Moore’s law)走到尽头,因为在整个半导体发展蓝图上还有许多好办法。”被誉为“FinFET教父”的中研院院士胡正明在日前于美国举行的“新思科技产品使用者研讨会”(Syn
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2016会是碳纳米管电晶体年?
自从NEC研究人员饭岛澄男(Sumio Iijima )在1991年首度发现碳奈米管(CNT)后,这方面的研究一直持续进展。他形容碳奈米管是继石墨稀、钻石以及富勒烯(fullerenes;巴克球 Bu
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美国普渡大学研究人员发现一种衍生自稀有元素碲的极薄二维材料,可大幅提升芯片电晶体运行效率
美国普渡大学研究人员发现一种衍生自稀有元素碲(tellurium)的极薄二维材料,可大幅提升芯片电晶体运行效率,进而提高电子设备(如手机、电脑)处理讯息的速度,也能增强诸如红外线感测器的技术。80%
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英国科学家设计新型电晶体可让可穿戴设备超低功耗运行
英国剑桥大学(Cambridge University)日前推出新的电晶体设计,可让穿戴式等装置利用周遭电晶体的电力作为能源供应来源并可在1伏特下运作且耗电低于10亿分之1瓦特。根据The Regis