欠压锁存电路_内存溢出

技术

基于0.5μm BCD工艺的欠压锁存电路设计

基于0.5μm BCD工艺的欠压锁存电路设计随着集成电路技术的发展，对电源管理芯片的开关频率、传输延迟、稳定性、功耗等各种要求越来越高，以保证电源电压在波动的情况下能够可靠的工作。一般的电源芯片上电

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2022-8-9
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基于0.5μm BCD工艺的欠压锁存电路设计