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  • 砷化镓制程的PN结测量及建模 技术

    砷化镓制程的PN结测量及建模

    摘要：这两年，化合物半导体的发展得到国家的大力支持，化合物半导体具有高的电子迁移率，高的反向击穿电压等特性，在移动终端上得到广泛的应用。而创建化合物半导体的器件模型，供集成电路设计者用于设计复杂集成电

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    2022-8-11
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