硅锗射频技术_内存溢出

技术

格罗方德推出性能增强型130nm硅锗射频技术，以促进下一代无线网络通信发展

加利福尼亚州，圣克拉拉市， 2016年5月23日——格罗方德半导体（GlobalFoundries）于今日宣布针对硅锗（SiGe）高性能技术组合，推出新一代射频芯片解决方案。该项技术专为需要更优性能解

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2022-8-14
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格罗方德推出性能增强型130nm硅锗射频技术，以促进下一代无线网络通信发展