半导体制热比电热丝加热更加省电，因为半导体制热的原理是将电能转化为热能，而电热丝加热的原理是将电能直接转化为热能，造成能量浪费。半导体制热的能量转换效率高达90%，比电热丝加热的效率高出很多，所以半导体制热更加省电。此外，半导体制热的反应速

        锡膏，又称焊锡膏，灰色或灰白色膏体，比重介于7.2-8.5，是一种新型的焊接材料。与传统焊锡膏相比，多了金属成分。置于零到十度间低温保存(五至七度最佳),日前市场上也有常温保存锡膏。 玉林管助焊剂锡膏是随着20世纪7

高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型和p型半导体结合在一起，就可做成太阳能电池，将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二极管

低熔点玻璃一般是指软化温度在600℃以下的玻璃。一般在熔点在大概300--400℃。一般粘合 的都是低熔点玻璃粉， 转变温度(Tg) 300±10℃ 400℃±10℃ ，软化温度(Tf) 370±10℃ 460℃±10℃ ，熔融温度(Tf)

砷化镓是重要的化合物半导体材料。外观呈亮灰色，具金属光泽、性脆而硬。常温下比较稳定。加热到873K时，外表开始生成氧化物形成氧化膜包腹。常温下，砷化镓不与盐酸、硫酸、氢氟酸等反应，但能与浓硝酸反应，也能与热的盐酸和硫酸作用。砷化镓天然存

99.999%镓的晶体，在实验室中生长（？foobarCreative Commons） 镓是一种柔软的银色金属，主要用于电子电路、半导体和发光二极管（led）。它也可用于高温温度计、气压计、药品和核医学试验。该元素没有已知的生物价值。

两者的晶体类型不一样。氮化镓类似于原子晶体，所以它有非常高的熔点。但金属镓是一种金属晶体，所以一般金属晶体的熔点没有原子晶体来得高。氮化铝为灰白色正交晶系或六方晶系结晶，在湿空气中有氨味。熔点为2200℃。氮化镓作为第三代半导体材料，是一种

     铟是一种银灰色，质地极软的易熔金属。熔点156.61°C。沸点2060°C。相对密度d7.30。液态铟能浸润玻璃，并且会粘附在接触过的表面上留下黑色的痕迹。      铟是一种多用途的金属，具有熔点低、沸点高、传导性好，氧化物能形

钒酸铋是n型半导体。单斜相钒酸铋(BiV04)是一种新型的半导体材料，具有独特的电子分布，特殊的片层状结构和合适的禁带宽度，具备良好的光学性质和催化性能。目前制备的BiVO4，因其导带电位低载流子迁移困难，可见光光电子产率低，因此有必要对B

一、碳族元素的种类、位置和结构特点C族元素包括C、Si、Ge、Sn、Pb 5种元素，在元素周期表中处于ⅣA族，最外层有4个电子。（1）Si、Ge是半导体；Sn、Pb是导体；C单质中的石墨导电，金刚石不导电。（2）注意Sn、Se的写法，

什么物质可以溶解到镓铟锡合金中溶解是指物质（均匀地、稳定地）分散在水中,不会自行沉降,也不能用过滤的方法把物质从水中分离出来。广义上说，超过两种以上物质混合而成为一个分子状态的均匀相的过程称为溶解。而狭义的溶解指的是一种液体对于固体液体

对于功率半导体器件，芯片焊接材料必须在这些器件工作的较高温度下能够保持可靠焊接，同时为工作中的器件提供一个高导热的散热路径。如果芯片粘接材料能够承受比高铅焊料更高的工作温度，这将意味着它在宽禁带半导体器件如SiC功率二极管和晶体管应用中会有

你好，很高兴为你解答：GaN的晶体结构主要有两种，分别是纤锌矿结构与闪锌矿结构。GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶

半导体铬金的合金温度是1860℃。根据查询相关公开信息，以铬为基加入其他元素组成的合金，属难熔合金。与金属镍相比，金属铬熔点高(1860℃)，比强度大（强度和密度之比），具有良好的抗氧化性能和抗高硫、柴油燃料、海水腐蚀性能。20世纪50年代

对于功率半导体器件，芯片焊接材料必须在这些器件工作的较高温度下能够保持可靠焊接，同时为工作中的器件提供一个高导热的散热路径。如果芯片粘接材料能够承受比高铅焊料更高的工作温度，这将意味着它在宽禁带半导体器件如SiC功率二极管和晶体管应用中会有

C试题分析：根据关系式1molSiO 2~ Si(粗硅)~ SiCl 4 (l)~ 1molSi(纯硅)，△H=△H 1 +△H 2 +△H 3 ="660.20" kJ·mol -1 ，所以若生产

纳米半导体材料可以发出各种颜色的光，可以做成小型的激光光源，还可将吸收的太阳光中的光能变成电能。用它制成的太阳能汽车、太阳能住宅有巨大的环保价值。用纳米半导体做成的各种传感器，可以灵敏地检测温度、湿度和大气成分的变化，在监控汽车尾气和保护大

钒酸铋是n型半导体。单斜相钒酸铋(BiV04)是一种新型的半导体材料，具有独特的电子分布，特殊的片层状结构和合适的禁带宽度，具备良好的光学性质和催化性能。目前制备的BiVO4，因其导带电位低载流子迁移困难，可见光光电子产率低，因此有必要对B

利用掺杂硅与单晶硅的熔点差异来提纯的。简单说一块粗硅圆柱体置于惰性气体环境中，中间套一个加热环，加热到硅的熔点附近，加热环从硅圆柱体一段开始，含杂质的硅熔点较低，呈熔融状态，然后加热环缓慢的向另一端移动，这时候杂质会随着加热环的移动向一段