滑盖手机和翻盖都有个霍尔元件，还有一小块磁铁，霍尔元件的工作原理：所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：正向特性：u&gt0的部分称为正向特性。反向特性：u&lt0的部分称为反向特性。反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向

石墨烯在半导体产业具有广阔的应用前景半导体产业主要由集成电路、光电，石墨烯的透明性和柔韧性等特点，在柔性显示屏行业的前景不可限量。石墨烯是二维原子尺度、六角型的碳同素异形体，其中每个顶点有一个原子。它是其他同素异形体（包括石墨、木炭、碳纳米

IV分析仪，又称为伏安特性分析仪，主要用于测试半导体器件伏安特性曲线，比如二极管、NPN管等，是以Windows为基础的仿真工具Multisim的测试仪器。整个 *** 作界面就像一个电子实验工作台，绘制电路所需的元器件和仿真所需的测试仪器均可直

半导体电炉锅好用。石墨烯锅炉是骗人的，石墨烯技术现在还没有得到这么具体的应用，这个锅炉完全是套用石墨烯的概念，听上去高大上，但是其技术与石墨烯没有任何关联，所以还是半导体电炉锅好用。半导体电锅炉，它是一种电阻加热方式，温度为380度。高阻特

两题都是围绕 爱因斯坦方程 Du = KTq展开的D 载流子（电子或空穴）扩散系数，u 载流子迁移率KTq除T温度外其他为常数。常温下（20摄氏度293k） KTq=0.026ev 这个要记住，常用第一题 0.026*150

um（微米）是长度单位,是指少子的扩散长度；少子寿命的单位是us（微秒）少子扩散长度和少子寿命基本上是等同的,一个是指能“跑多远”,一个是指能“活多久”,表述不同而已少子寿命是越大越好,就目前的太阳能级硅来说能有5us已经不错了,如

简单说明如下，半导体的压敏性，当外加电压变化达到某一特定阈值时，导致其导电性能能发生明显变化的性质。例如，压敏电阻。 压敏电阻，是指一类对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。半导体的光敏性，在特定频率的光照下，可导致其电阻率发生变化的

硅片退火处理，是工艺的一个环节。是按一定的程序对硅片进行升温、降温......的过程；为什么要进行退火？原因之一是，硅片中含有氧，氧有吸取杂质的作用。退火时可以将硅片表面附近的氧，从其表面挥发脱除，使表面附近的杂质数量减少。有利于器件的制造

半导体发生简并对应一个温度范围：用图解的方法可以求出半导体发生简并时，对应一个温度范围。这个温度范围的大小与发生简并时的杂质浓度及杂质电离能有关：电离能一定时，杂质浓度越大，发生简并的温度范围越大；发生简并的杂质浓度一定时，杂质电离能越小，

常用的两种半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。 元素半导体是由单一元素成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。 二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化

半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。当正向电压很低时，正向电流几乎为零，P89

少子寿命介绍如下：即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导

变。温度升高，刚开始由杂质能级电离，多子少子浓度变化不同，此时多子来自杂质及本征激发，而少子来自本征激发。温度再升高，致使杂质全部电离后，半导体处于饱和区。温度继续升高，这时载流子将由本征激发为主，到一定程度，电子空穴浓度会趋于相等。之后的

是减少，P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。因此,在P型半导体中,空穴数远大于自由电子数,空穴为多数载流子,而自由电子为少数载流子。少子即少数载流子，相对的是多

二极管漏电流是指二极管处在反向电压时流过二极管的电流，这个电流都很小。发光二极管的反向电压很低，而且发光二极管都在直流电压下工作一般不考虑漏电流。1.最大工作电流I(CM)它是指发光二极管长期工作时，所允许通过的最大电流。2.正向电压降V

简单说明如下，半导体的压敏性，当外加电压变化达到某一特定阈值时，导致其导电性能能发生明显变化的性质。例如，压敏电阻。 压敏电阻，是指一类对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。半导体的光敏性，在特定频率的光照下，可导致其电阻率发生变化的

少子，又称少数载流子，是指在N型半导体中，空穴称为少数载流子，简称少子。少子是半导体物理的概念。半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中某种载流子占大多数，导电中起到主要作用，则称它为多子。反之，称为少子。在N型半导体中，自由

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：正向特性：u&gt0的部分称为正向特性。反向特性：u&lt0的部分称为反向特性。反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向