um（微米）是长度单位,是指少子的扩散长度；少子寿命的单位是us（微秒）少子扩散长度和少子寿命基本上是等同的,一个是指能“跑多远”,一个是指能“活多久”,表述不同而已少子寿命是越大越好,就目前的太阳能级硅来说能有5us已经不错了,如

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：正向特性：u&gt0的部分称为正向特性。反向特性：u&lt0的部分称为反向特性。反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正

电子走式是个啥.. p型和n型si的划分是以杂质掺杂以后的载流子类型划分的,如果是空穴导电为p型,电子导电为n型当pn结正向接通的时候(p-si接正电位),在电场作用下n-si的电子被吸向正极,p-si的空穴被吸向负极形成电流.如果pn结反

半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。当正向电压很低时，正向电流几乎为零，P89

一、N型半导体N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。形成原理掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共

两题都是围绕 爱因斯坦方程 Du = KTq展开的D 载流子（电子或空穴）扩散系数，u 载流子迁移率KTq除T温度外其他为常数。常温下（20摄氏度293k） KTq=0.026ev 这个要记住，常用第一题 0.026*150

伏安特性曲线：加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。如图所示：正向特性：u&gt0的部分称为正向特性。反向特性：u&lt0的部分称为反向特性。反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向

n型单晶硅片之所以叫c-si，是因为c-si是指一种新型氮化硅半导体材料。其实，n型单晶硅片是一种特殊的半导体材料，采用氮化物电子传输层作为外部衬底，可大大增强半导体器件的性能，因而用c-si来称呼它。P型半导体又叫空穴型半导体，在纯净的硅

半导体激光器是温敏器件，对温度变化相当敏感。温度的变化会致使其输出光性能发生变化，甚至影响使用寿命。温度升高，阀值增大，输出光功率减小。驱动电流越大，温度变化引起光功率的变化越大。温度变化会使半导体激光器的P-I曲线呈非线性畸变。实验原理:

少子漂移和多子扩散是半导体物理学中的两个重要概念。少子漂移是指半导体中自由电子或空穴在电场作用下的运动，这种运动只涉及到少数的电荷载流子。多子扩散则是指半导体中大量载流子（自由电子或空穴）在浓度差或浓度梯度作用下的运动，这种运动涉及到大量的

影响极大，减短寿命。少子寿命是半导体材料和器件的重要参数，即少数载流子寿命。光生电子和空穴从一开始在半导体中产生直到消失的时间称为寿命。杂质和缺陷对少子寿命影响极大，减短寿命，杂质、缺陷愈多非平衡载流子消失得愈快，在复合过程中少数载流子起主

　第5卷第6期2006年12月　江南大学学报(自然科学版)Journal of Southern Yangtze U niversity(N atural Science Edition)　Vol.5　No.6Dec.　2006　文章编号:

温度稳定性差的原因：1、少数载流子浓度与温度有关。（随着温度的升高而变窄）2、禁带宽度与温度有关。（随着温度的升高而呈指数式增加）主要是受多子影响。半导体禁带宽度小，受热后外层成键电子容易跃迁到激发态成为参与导电的载流子，导电性能提高

1.少量深能级杂质能大大降低少子寿命。过渡金属杂质往往是深能级杂质，如Fe、Cr、Mo等杂质。2. 电阻率的影响 随着电阻率的增大，少子寿命也不断增大。3. 温度变化强烈影响少子寿命。但是影响规律十分复杂。一般为随温度上升少子寿命先降后升。

半导体的特征：一、半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、硒等，它们的电阻率通常在 之间。二、半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。三、如纯净的半导体单晶硅在室温下电阻率约为 ，若按百万

这里的非平衡载流子指的就是非平衡载少子。虽然半导体受激发后也会产生非平衡多子，但决定半导体性质的是非平衡载少子。非平衡少子的数目=产生率*少子寿命=10^18cm^(-3)s^(-1)*100us = 10^14cm^(-3)这个可以从这

本征半导体：完全不含杂质且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。本征半导体一般是指其导电能力主要由材料的本征激发决定的纯净半导体。完全纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。杂质半导体：本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的

1 基本概念处于热平衡状态的半导体，其在一定温度下的载流子浓度是一定的。但是如果我们对其施加外界作用，比如加电或者光照。以光照为例，只要入射光子的能量大于半导体的禁带宽度，那么光子就会把价带电子激发到导带中去，产生电子-空穴对。此时载流子浓