二极管击穿是什么原因

1、狭窄屏障区

在掺杂浓度较高的情况下，势垒区的共价键结构由于势垒区宽度小、反向电压大而被破坏，使价电子脱离共价键并产生电子空穴对。电流急剧增加。这种故障称为齐纳故障。当掺杂浓度较低时，势垒宽度较大，不易发生锌击穿。

2、高反向电压

当反向电压增大到较大值时，外加电场加速电子漂移速度，电子漂移速度与共价键中的价电子发生碰撞，将价电子从共价键中逐出，形成一对新的电子空穴。新产生的电子空穴被电场加速，然后其他价电子被击出。载波雪崩增加，导致电流急剧增加。

扩展资料：

二极管的分类：

1、点接触式

点接触二极管是通过将金属针压在锗或硅材料的单晶片上，然后通过电流法形成的。因此，其PN结具有较小的静态容量，适用于高频电路。

2、表面接触式

表面接触型或区域型二极管的PN结是用合金化或扩散法制作的。由于二极管的PN结面积大，可以承受大电流，但电极间的电容也很大。该装置适用于整流，但不适用于高频电路。

3、密钥类型

键合二极管是将合金或银线熔合在锗或硅片上形成的。它的特点是在点接触二极管和合金二极管之间。与点接触式相比，键合二极管的PN结电容略有增加。

参考资料来源：百度百科—二极管

当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。

一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。

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二极管的类型

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

二极管的主要参数

1、最高反向工作电压

加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。

2、额定正向工作电流

是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。

参考资料：百度百科-二极管

pn结击穿(electricalbreakdownofp-njunction)

对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的'击穿电压。

击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的。pn结击穿是pn结的一个重要电学性质，击穿电压限制了pn结的工作电压，所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。

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