箔电阻_内存溢出

技术

VCS1625Z ：Vishay改进的S系列高精度箔电阻

产品特性：高精度，±2 ppm°C 的TCR，±0.005% 的容差超过10000小时的±0.005% 负载寿命稳定性容值：0.5Ω～1

雅加达英文
2022-10-21
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技术

S系列：Vishay改进的军用级高精度箔电阻

产品特性：高精度，±2 ppm°C 的TCR，±0.005% 的容差超过10000小时的±0.005% 负载寿命稳定性容值：0.5Ω

冰雕制作
2022-10-21
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VCS1625Z ：Vishay改进的S系列高精度箔电阻

S系列：Vishay改进的军用级高精度箔电阻