1、第一个环系统中将死区时间分离后的所有过程对象特性。
2、第二个环节则仅仅代表死区时间。已将死区时间特性分离后的第一环节,可以用一个普通的微分或差分方程来表达。
1~2微秒。因为igbt模块应用时,通过软件控制上下桥臂的门极开关切换时间控制死区时间,20KHz驱动频率的电源行业,INV采用半桥架构,所以上下管的交替死区设置时间一般是1~2微秒。
死区时间可以避免桥臂直通,但也会带来不利影响。
移相全桥死区时间设置需要考虑寄生二极管的影响。根据查询相关公开信息显示,超前臂或滞后臂的上下两管,开通或关闭的间隔时间,移相全桥电源每个周期有4个死区时间,需要考虑寄生二极管的影响。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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