内存时序怎么调？

内存时序的调节步骤如下：

在BIOS中打开手动设置。

在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。

BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。

内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。

预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

内存时序，一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。

华硕B650M-PLUS主板可以通过BIOS界面来调整内存时序。具体步骤如下：

1. 在开机时按下DEL键进入BIOS设置界面。

2. 进入“Advanced”选项卡，找到“AI Tweaker”选项。

3. 在“AI Tweaker”选项中，找到“DRAM Timing Control”选项。

4. 在“DRAM Timing Control”中，可以调整DRAM频率、CAS延迟、RAS到CAS延迟、RAS预充值延迟等参数。

5. 调整完成后，按下F10保存设置并退出BIOS界面。

需要注意的是，调整内存时序需要谨慎 *** 作，不当的设置可能会导致系统不稳定或无法正常启动。建议在调整之前先了解各个参数的含义和作用，或者参考主板的使用手册。

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问题描述:

CPU是P4 2.66GHZ,外频133MHZ,前端总线533MHZ

内存是金士顿DDR400有2条组成双通道共1G容量

内存时序几种设置如下:

1.内存DDR400,内存时序3-3-3-8

2.把内存DDR400降到RRD266,内存时序2-2-2-6

*补充:因为CPU的前端总线533MHZ,2条内存在双通道下DDR266就够用了,而不用DDR400,对吗?

所以我想在内存频率够用的情况下,降低内存的时序数字,来提高内存的性能.

高手指教!

解析:

不是的,你应该错了,533M的端总线要333才够用,如果是要266的话就=没开双通了,性能提高不是很明显的.主板哪里应该有一项可调到333的.

你应该在有333的前提下再去调时序,否则效果不大

呵呵,这个我也不清楚我是在书上看的,你如果不信也可以上网查下,

我看的书上是这样说的 前端总线400 对DDR266 前端总线533对 DDR333 前端总线800 对DDR400(这只是对INTEL而说的能AMD的会有点不同)

我现在才发觉你对前端总线的理解是错的,前端总线不是这样算的,

它和你内存条的多小没关的.

我上面说的是对的,你就按我说的去做吧,包你有体验.

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