1、在BIOS设置中找到DRAMTimingSelectable。
2、BIOS设置中可能出现的其他描述有,AutomaticConfiguration,Auto,TimingSelectable,TimingConfiguringBySPD等,将其值设为Menual。
3、内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS。
4、预充电后,内存才真正开始初始化RAS,一旦tRAS激活后,RAS(RowAddressStrobe)开始进行需要数据的寻址。
CL15-17左右。普通的ddr42400内存条频率为2400MHz,时序CL15-17左右。几乎所有的DDR4代的内存条默认的频率只有2133MHz,所以即使你买的是高频内存条,也需要在主板BIOS设置中打开XMP(自动超频)或手动设置超频后才能达到商家所给出的频率,而且,很多主板并不支持超过2666MHz以上的频率,即使你的内存条是4000MHz的神条,也会自动降频到2666MHz使用,这个需要用户去看主板上的说明。三星ddr43200内存条时序默认为DDR4,2133,1.2V。ddr43200内存时序参数调为3200(16)8Gx16,CL16-16-161.35V为好。加载XMP可直接提升频率为DDR4-3200-16-16-16-362T,高频下的电压为1.35V。ddr4-3200内存条不动第一时序,应调整第二时序入手,放大tRFC、tREF可获得更高的预率:ddr4内存与ddr4、ddr42内存不同,第一时序中的CR对内存频率和性能影响不大,ddr4第二时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大,可适当放宽以提高超频后的稳定性,tRRD对性能的影响则比较大。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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