这基于mc9s12xs128的 PORTK_PK4 DDRK_DDRK4这两个表示什么啊 最好能讲下这个简单程序 十分感谢！

回答求助：

从代码看，PORTK_PK4和DDRK_DDRK4是两个变量，似乎可以控制CPU的某些功能(这是按代码中的语句猜的)。在你的代码中被#define LEDCPU PORTK_PK4和#define LEDCPU_dir DDRK_DDRK4两句分别定义成了LEDCPU和LEDCPU_dir。就是说你的代码中凡是写LEDCPU和LEDCPU_dir的地方，编译时都会被编译器对应换成PORTK_PK4和DDRK_DDRK4。这叫宏定义，在你这段代码中看不出多大意义，但如果把一个常数宏定义成一个符号，那以后改这个数字就十分方便了……

代码注释如下：

void main(void) {

DisableInterrupts//关闭中断

LEDCPU_dir = 1//给LEDCPU_dir赋值1，实际就是给DDRK_DDRK4赋值1

LEDCPU = 1 //给LEDCPU赋值1，实际就是给PORTK_PK4赋值1

EnableInterrupts//打开中断

for(k=0k<5k++) {

delay()//调用延时程序delay()延时一段时间

LEDCPU = 0//给LEDCPU重新赋值0即给PORTK_PK4赋值0

delay()//再调用延时程序delay()延时一段时间

LEDCPU = 1//给LEDCPU重新赋值1即给PORTK_PK4赋值1

}

for()//无休止循环

}

从代码看可能是一个单片机控制显示之类的程序段。

只是从代码猜到的情况，可能会使你失望……

有一定差别，xs128引脚名称不是p1.1这一类

给你个i/o口程序的例子

Void PORTB_Init(void){

DDRB=0xff

//PB口作输出使用，1为输出，0为输入

PORTB=0x00

//PB口数据寄存器值

}

注意：IO口要注意以下几点：（1）每个IO口的数据寄存器名可能不同（2）AN口只能作输入用（3）PH，PJ（高两位，低两位），PP可用输入中断功能使用（4）IO口作输入与输出时有不同的寄存器对应（5）IO口作复用时不能作IO口用，相反也不行

IO口可用作：调试接口（接数码管、液晶、拨码开关等等）所以必须掌握

使用拨码开关要注意这样用

DDRB=0XFF

//输出

PORTB=0XFF

DDRB=0X00

//输入

···············································

xs128单片机和51单片机在格式上有一些差别，功能更为强大，估计你是学生的话就是要参加智能车比赛的，建议买一本专讲xs128嵌入式系统的书，各大文库里也有许多资料，新浪文库、百度文库都有，可以看下。

有相关资料可以参考的，你搜一下flash to epprom相关资料：

用Flash模拟EEPROM

本程序利用S08系列单片机的片内Flash模拟EEPROM。解决部分8位机没有EEPROM导致在运用上的局限。本程序提供一个初始化函数和三个功能函数。用户必须在调用功能函数前调用调用初始化函数。三个功能函数分别是字节写入、字节读取、EEPROM全擦除。用户必须保证调用功能函数前有至少30Bate的栈空间。

本程序参考飞思卡尔公司提供的《在 HCS08 微控制器上使用 FLASH 存储器模拟 EEPROM》。并在源程序的基础上精简了部分功能，减少了RAM使用量。并尝试使用分页机制确定EEPROM地址。

接口函数的EEPROM地址寻址由页地址和页内偏移量组成。即把用户定义的EEPROM分为若干个大小为256字节的页。其地址与FLASH地址的换算关系为：

FLASH真实地址=EEPROM空间起始地址+页地址×256+页内偏移地址

用户在使用EEPROM是只用确定数据保存在EEPROM的相对地址即可。接口函数原型为：

EEPROM_WRITE_DATA(数据,页地址, 页内偏移地址)

Char EEPROM_READ_DATA(页地址, 页内偏移地址)

1. 程序流程分析与设计。

由于S08系列单片机在Flash写入时序中不能进行任何的Flash读 *** 作，Flash写入指令必须放到RAM中执行并关闭所有可屏蔽中断。程序流程如图13-1-？。

字节写入/.全擦除程序流程 字节读取程序流程

图13-1-？

2.程序源代码。此程序在CodeWarrior 6.0继承编译环境中编译通过

/*****************************************************/

//河南工业大学Freescale MCU&DSP联合实验室

// 文件名：flash_program.h

// CPU ：MC9S08AW60

// 版 本：v1.0

// 日 期：2008年8月12日

// 调试环境：CodeWarrior 6.0

// 作 者：曾 滔

// 描 述: 头文件，用于保存初始化EEPROM设定、用户定制参数、编译器参数等信息。

/*****************************************************/

#include <hidef.h>

#include "derivative.h"

#include <stdio.h>

/*************flash编程指令（请勿改动）*****************/

#define BLACK_CHECK 0x05 //查空指令

#define BITE_PROGRAM 0x20 //字节编程指令

#define BURST_PROGRAM 0x25 //快速编程指令

#define PAGE_ERASE0x40 //页擦除指令（1页=512字节）

#define MASS_ERASE0x41 //全擦除指令

/******用户定制参数（根据单片机型号和用户flash使用情况定制）**********/

#define EEPROM_START_ADDRESS0xE000 //EEPROM区起始地址。512B的倍数

#define EEPROM_PAGE_NUM 8 //EEPROM页数。1page=256B

#define BUS_FREQUENCY 2000 //总线频率。单位（KHz）

/********************编译器相关参数**************************/

#define INT8U unsigned char //无符号字节变量。根据编译器更改。默认CodeWarrior 6.0

#define INT16U unsigned short int //无符号字变量。根据编译器更改。默认CodeWarrior 6.0

/***********EEPROM API函数原型***********/

//初始化程序。此函数必须在使用EEPROM前调用。建议用户在系统初始化是调用。

void INIT_EEPROM(void)

//EEPROM擦除函数。擦除所有EEPROM数据。

void EEPROM_ERASE(void)

//EEPROM字节写入函数。写入一个字节到EEPROM指定区域。

void EEPROM_WRITE_DATA(INT8U data,INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address)

//EEPROM读出函数。读出一个指定的区域所保存的字节的到函数返回值。

char EEPROM_READ_DATA(INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address)

/****************************END************************************/

/*****************************************************/

//河南工业大学Freescale MCU&DSP联合实验室

// 文件名：flash_program.c

// C P U ：MC9S08AW60

// 版 本：v1.0

// 日 期：2008年8月12日

// 调试环境：CodeWarrior 6.0

// 作 者：曾 滔

// 描 述:提供了一个初始化函数和三个功能函数供用户调用，没有可更改参数。

/*****************************************************/

#include "flash_program.h"

const INT8U FLASH_CODE[]={ // flash *** 作代码

0x45, 0x18, 0x26, // LDHX #$1826 FCMD地址写入H：X

0xA6, 0x00, // LDA #$00 0x00为命令占位符

0xF7, // STA ,X 将命令写入FCMD命令缓存器

0x5A, // DECX 指针指向 FSTAT

0xF6, // LDA ,X

0xAA, 0x80,// ORA #$80

0xF7, // STA ,X 置位FSTAT_FCBEF。启动flash写入命令

0xF6, // LDA ,X 等待3个时钟周期（请勿删除此代码）

0xF6, // LDA ,X 读取FSTAT

0xA5, 0x30, // BIT #$30

0x26, 0x05, // BNE *+6 错误则返回

//LOOP

0xF6, // LDA ,X 等待写 *** 作结束

0xA5, 0x40, // BIT #$40

0x27, 0xFB, // BEQ *-3 跳转到LOOP

//EXIT:

0X81 //RTS 返回

}

/*********************初始化函数**********************************/

#if BUS_FREQUENCY >= 12000

void INIT_EEPROM(void){FCDIV=(((BUS_FREQUENCY/(8*175)))|0x40)-1}

#endif

#if BUS_FREQUENCY <12000

void INIT_EEPROM(void){FCDIV=(BUS_FREQUENCY/175)-1}

#endif

/***********************EEPROM字节写入函数****************************/

void EEPROM_WRITE_DATA(INT8U data,INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address)

{

INT16U address //存放写入地址

INT8U code_space[23] //初始化代码空间

if(EEPROM_page>=EEPROM_PAGE_NUM)return //地址错误返回，保护用户代码

address=offset_address+EEPROM_page*256+EEPROM_START_ADDRESS //地址转化

(void)memcpy(code_space,FLASH_CODE,23) //复制flash *** 作代码到RAM

code_space[4] = BITE_PROGRAM//修改命令占位符为写入命令

DisableInterrupts //关中断

if (FSTAT&0x10){ //清错误标志

FSTAT = FSTAT|0x10

}

_asm

{ //写入初始化

LDHX address

LDA data

STA ,X //写入缓存

TSX

JSR 2,x //跳入RAM执行

}

EnableInterrupts //开中断

__RESET_WATCHDOG()

}

/********************EEPROM字读取入函数********************************/

char EEPROM_READ_DATA(INT8U EEPROM_page,INT8U offset_address){

unsigned short int address //地址变量

char rusult //数据变量

address=offset_address+EEPROM_page*0x100+EEPROM_START_ADDRESS//地址转换

asm{

LDHX address

LDA ,X //读取地址到数据变量

STA rusult

}

__RESET_WATCHDOG()

return(rusult) //返回

}

/**********************EEPROM擦除函数********************************/

void EEPROM_ERASE(void)

{

INT16U address

INT8U i //循环变量

INT8U code_space[23]

for(i=0i<(EEPROM_PAGE_NUM/2)i++){ //分页擦除

address=i*0x200+EEPROM_START_ADDRESS

(void)memcpy(code_space,FLASH_CODE,23)//复制flash *** 作代码到RAM

code_space[4] = PAGE_ERASE //修改命令占位符为擦除命令

DisableInterrupts //关中断

if (FSTAT&0x10){ //清错误标志

FSTAT = FSTAT | 0x10

}

_asm

{

LDHX address //擦除地址写入缓存

STA ,X

TSX

JSR 3,x //跳入RAM执行

}

EnableInterrupts //开中断

__RESET_WATCHDOG()

}

}

/****************************END************************************/

/*****************************************************/

// 版权所有（c）河南工业大学

// 文件名：mian.c

// C P U ：MC9S08AW60

// 版 本：v1.0

// 日 期：2008年8月12日

// 调试环境：CodeWarrior 6.0

// 作 者：曾 滔

// 描 述: 测试Flash模拟EEPROM程序。

/*****************************************************/

#include <hidef.h>

#include "derivative.h"

#include "flash_program.h"

void main(void){

char temp

PTADD=0XFF

INIT_EEPROM()//初始化Flash控制寄存器。

do{

EEPROM_WRITE_DATA(88,0,0) //写入一个字节。

temp=EEPROM_READ_DATA(0,0) //读取一个字节

}while(temp!=88) //若写入失败则再次写入

PTAD_PTAD0=1

do{

EEPROM_ERASE()

}while(EEPROM_READ_DATA(0,0)!=0xff)//擦除Flash

PTAD_PTAD1=1

for()__RESET_WATCHDOG() //死循环

}

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