磁流体力学程序

　电磁内爆靶物理主要研究等离子体内爆过程、靶结构参数与脉冲功率参量之间的匹配关系、R-T不稳定性等。理论研究主要采用零维模型，用于靶参数与脉冲功率源之间的匹配计算，优点是可以快速计算大量模型并得到优化模型；一维单温磁流体力学模型(简称MHD)，假定等离子体处于局部热平衡，电子和离子温度相等，并且假定辐射影响不考虑。这种模型适用于固体衬套内爆过程，温度不太高，辐射影响不大。在作为软X射线源的Z-PINCH实验中，等离子体的温度高达百万度以上。由于X射线辐射影响，一般采用辐射磁流体力学模型(简称RMHD)，就是在磁流体力学方程组外还应加进辐射输运方程。如果体系处于非局部热平衡，电子、离子以及光子的温度脱离，则采用三温方程。三温辐射磁流体力学方程的求解是非常耗机时的。本文采用一种简化的办法，即把磁流体力学模型推广，使之适用于高温等离子体的内爆过程，推广主要有两点:(1)高温辐射流不能忽略，能流项中包括物质热流和辐射流两部分，即(clR/3)�0�5aT4是辐射流项,a=cs/4，s为斯忒藩-玻耳兹曼常数，lR为罗斯兰德平均自由程，aT4是单位体积辐射能。(2)-k�0�5T是物质热传导项，热传导系数k分为低温和高温等离子体两种情况，两部分联结点取在高温等离子体热传导公式适用范围的下限，一般约在万度。文中低温热传导取三个点的线性插值，k1为熔点的热传导系数，k2为汽化点的热传导系数，k3为高温等离子体适用下限的热传导系数。高温等离子体热传导系数取自Branskii所给公式，物质热传导k=ki+ke。实现了低温热传导系数与高温等离子体热传导系数的连接，放弃原来热传导系数为常数的近似，电阻率的公式是比较复杂的，Spizer电阻率公式比实际情况偏低，库中电子平均自由程当温度小于100eV时不正确，所以计算中用拟合公式h=10-8(2.5+210exp(-2(log(T/0.0116)-1.3)2W×m。经过这样改进以后，计算适合高温等离子体。

Matlab就可以

function temp(A,b)

%b='black'按灰度显示b='color'彩色显示，从强到弱红绿蓝

%A为表示强度的矩阵

A=abs(A)

a=max(max(A))

A=A./a

if(strcmp(b,'color'))

A=color(A)

end

imshow(A)

function B=color(A)

[m,n]=size(A)

B=zeros(m,n,3)

for i=1:m

for j=1:n

if A(i,j)<0.5

B(i,j,2)=A(i,j)

B(i,j,3)=0.5-A(i,j)

else

B(i,j,2)=1-A(i,j)

B(i,j,1)=A(i,j)-0.5

end

end

end

B=2*B

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