为什么MRAM非常适合汽车应用?

为什么MRAM非常适合汽车应用?,第1张

MRAM快速且非易失。实时监控的传感器数据可以实时写入,而无需负载均衡或ECC开销。符合AEC-Q100 1级标准的MRAM在引擎盖下应用中发现的扩展温度范围(-40°C至125°C)内将保留20年的数据。意外断电不会影响数据完整性。Everspin的MRAM技术在极端温度范围内非常坚固且可靠,使其非常适合汽车市场对存储产品的需求。

MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。

MRAM 存储器是计算机体系结构中的重要组成部分,对计算机的速度、集成度和功耗等都有决定性的影响。然而,存储器难以同时兼顾各项性能指标,例如,硬盘的存储容量较高,但访问速度极慢(通常为微秒级)。缓存则相反,具有高速和低集成度的特点。为充分发挥各类存储器的优势,典型的计算机存储系统采用图1所示的分级结构,一方面,频繁使用的指令与数据存于缓存和主存中,能够以较快的速度与中央处理器交互;另一方面,大量非频繁使用的系统程序与文档资料被存于高密度的硬盘(HDD或SSD)中。这样的分级结构使存储系统兼具高速和大容量的优点,但是,随着半导体工艺特征尺寸的不断缩小,传统的基于互补金属氧化物半导体工艺的缓存和主存遭遇了性能瓶颈。在功耗方面,由于CMOS晶体管的漏电流随着工艺尺寸的减小而增大,因此,SRAM和DRAM的静态功耗日益加剧;在速度方面,处理器与存储器的互连延迟限制了系统的主频。解决该问题的一个有效途径是构建非易失性的缓存和主存,使系统可工作于休眠模式而不丢失数据,从而消除漏电流和静态功耗,而且非易失性存储器可通过后道工艺直接集成于CMOS电路上,减小了互连延迟。在诸多的非易失性存储器中,以Flash的技术最为成熟,但Flash因写入速度慢(毫秒)、可擦写次数有限等缺点而无法达到缓存和主存的性能要求。其他的候选有可变电阻式存储器、相变存储器和自旋转移矩磁性随机存储器等。

桌面级cpu说白了就是我们台式机,服务器工作站用的,比如我们常说的酷睿i3/5/7。AMD的R7/5/3,等等,他们性能强同时发热大,适合台式机有稳定电源和散热器使用。系统上一般都是win系统。当然移动端CPU包括手机和平板电脑。听名字就知道她是便携式设备,手机平板等等移动设备使用。一般运行安卓或者wp系统,在程序源码上有打电话发短信功能。

而手机CPU其实是不标准的说法,标准的手机芯片叫手机SOC,包括CPU,GPU,ISP,DSP,节哀等等。我们常说的cpu其实只是只CPU这一个部分而已,所以说不标准


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