NMOS开关电路的仿真问题

会不会是仿或mos管DS间的寄生二极管将电放掉了，我猜，其实图我不是看的很懂，很漏大颤少见这样接。。。

你看返败看一般的mos 管手册，上面会有一个并联二极管的，我推测是那个管将C上的点灌回到右边的电源了。。就放掉了。。

本篇接着上一篇，讲一个与非电路的设计、仿真、版图绘制过程。

英文原文 在这里。

我们可以直接从上一个项目中复制过来，减少一些工作量。注意一定要勾选 update instances

根据下图搭建好电路，check and save，这时候会有一差嫌樱个错误，这是因为我们是直接复制了之前反相器的项目，在symbol中的端口与这个与非电路端口未对应，我们之用去library manager 中把之前那个symbol删者唤除掉，再次check就好了。

create -->cellview -->from cellview

按照下图画出symbol

如果中间虚丛某些线条无法对齐，可以按快捷键 e ，修改snap space

按照如下图搭建电路

其中信号源为vpulse

负载为容性

launce ADE L，和上一篇一样， design -->model library ，也可以直接 session -->load session

仿真结果如下，如果想把两条线分开，在仿真结果的窗口中 右键-->split current strip -->trace

首先打开NAND的layout的cell（因为我们是直接从上一个反相器的项目复制过来的，所以里面是inverter的版图）。把pin给删掉，如下图。

复制一个pmos按照下图摆放（快捷键c），并且把ntap改为5列（选中之后按q）。

同样的方式，复制nmos，并在metal1加上连线和pin，以及另外一个metal1_poly

注意我们并不需要两个nmos中间的metal1，通过将cell打散，可以将这个pcell变成很多个block编辑。首选选中两个nmos，在菜单栏 edit -->Herachy -->Flatten

然后删去metal1和contact

删除metal1时候注意在LSW中NV的使用

然后按照下图连线，加pin

之后DRC，Extract，LVS

提取gm/Id、IC0与Von的关系 1、新建工判空程，绘制电路图 2、查看NMOS模型的相关参数。点击NMOS，右键选择Edit Pspice Model，了解NMOS的u0、Tox、Vth0 3、设置全局变量。双击PARAMETERS,点击New Column，输入参数名和值，点击OK；选中L,点击display，选择Name and Value。 4、设置电路中电源电压，及MOS管的宽长比。V5电源电压设置为睁闭NMOS的Vth0，宽长比自行设定 5、创建新的仿真，进行仿真。 6、进行直流仿真，选择DC Sweep。扫描电压V6，V6的变化范围从0到500mV，步长为1mV。 7、点击run图标进行仿真，出现Probe模块 8、点击Trace/Add Trace 或者直接点击Add Trace图标，在Trace Expression中填写函数表达式，确定显示波形的函数。 9、首先，显示IC0与Von的关系。根据IC0=Id/[I0*（W/L）]，又因为I0=2n0*u0*Cox*Vt?，n0取1.4，计算得出I0等于300nA，宽长比我这里设置的是20，所以IC0的表达式是ID(MN5) /6uA，点击Ok出现相应的绿色曲线。 10、接着，显示gm/Id与Von的关系。根据gm等于Id对Vgs的求导即对Von的求导，可以得出gm/Id的表达式D(ID(MN5))/ID(MN5)，点击Ok出现相应的红色曲线。 11、两条曲线同时出现在图中，在以后的MOSFET手工估算中，就可以快速查询gm/Id、Von、IC0三者之间的对应关系了，如图为查找IC0=15时对悉冲裂应的gm/Id的值 以上就是专题栏小编带来的orcad教程，更多教程请看“/zt/orcad/”

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