stm8s的EEPROM读写程序如何编写，需要哪些配置步骤

#define EEPMASS1 0xAE /肢信/密码钥匙1

#define EEPMASS2 0x56 //密码钥匙2

#define EEPADDR 0x4000 //eep地址起始

void eeprom_read(U16 u16Addr, U8 *pdatas, U8 len)

{

U8 *eep=(U8 *)u16Addr

U8 j

for(j=0j<lenj++)

{

pdatas[j]=eep[j]

}

}

void eep_word_write(U16 u16Addr, U8 *pdatas, U8 len)

{

U8 *eep=(U8*)u16Addr

U8 j

FLASH_DUKR=EEPMASS1 //锁埋饥铅1密钥

FLASH_DUKR=EEPMASS2 //锁2密钥

while(!(FLASH_IAPSR&0x08))//等待解密就绪

DISABLE_MAC_INTERRUPTS()

FLASH_CR2 |= 0x40//

FLASH_NCR2 &= ~0x40 //设置字弯好编程

for(j=0j<lenj++)

{

eep[j] = pdatas[j]

}

while(!(FLASH_IAPSR&0x04))

FLASH_IAPSR &=0xf7 // off the eeprom program

ENABLE_MAC_INTERRUPTS()

}

很多工艺过程需要对一些变量做长久保存。比如某些控制参数，在程序运行过程中可能会被修改，在改变后必须再一次永久保存以防掉电丢失。自然，这些参数不能由数据块或初始化予以预置。因此，S7-200提供了将数据写入EEPROM的功能。由于写EEPROM是在每个扫描周期的尾部执行的，我的理解是一次扫描只能写一个数据。这就带来一个问题，如果有多个数据需改森埋要同时写入这么办？按照手册上提供的方法，重复多写几个Network、多用几个使能标识位可以吗？这样简单的重复显然会有问题：由于使用上升沿触发写EEPROM程序，完成了第一个写入后程序将进入下一个扫描周期，尽管SM31.7已经被释放，但后几个使能位的上升沿已经不存在了；因此还是只能写一个数据。 为了保证所有数据都能写入EEPROM，我对手册上的范例做了一些改动，相关程序请看附件。详细说明如下： 1、为了将多个数据写入EEPROM，就必须用多个扫描周期，而且保证每个扫描周期依次写入一个数据，直到全部写完。这样，每个数据写入的使能标识位在数据尚未写入时必须处在使能状态。而在写入完成后必须退出使能状态。 2、由于写入程序的触发还有一个SM31.7作为判断条件，按照程序的时序关系，前一个写入程序被使能后，后面的写入程序核蚂必然会被屏蔽，因此无需担心写入条件发生改变。 3、在数据写入被使能后及时退出本数据的写入使能，避免下一个扫描周期被再次触发。同时释放写入请求以使下一个数据的写入请求能被响应。 4、一般来说，写EEPROM不是一件经常发生的事件，因此不必担心两个相邻扫描周期内同一个写入使能位被再次触发。除非程序本身的编写有误。 5、实例程序中用M0.0使能VD100的写入，用M0.1使能VD104的写入，M0.2同时使能上述两个标识位（也可以在监控状态下单独使能某个位）。这里我们讨论两个标识位同时被使能的情况。 6、M0.0置位后，SM31.7=0，执行VD100的写入程序；然后置位SM31.7，并立即复位M0.0。由于SM31.7被置位，即使M0.1也处于被使能状态，在本次扫描周期内VD104的写入请求被忽略，而M0.1还保持使能状态。 7、在下一个扫描周期内，由于M0.0已经退出使能状态，因此VD104的写入请求将被响应。与M0.0一样，写入请求被响应后M0.1也立即退出使能状态。 8、这样，在两个扫描周期内两个数据被写入EEPROM。如果有更多的数据需要保存，可以以此类推。 9、检验本程序的方法：在系统块中将V寄存器的掉电保持全部取消，可以看到重新上电后前一次写入V寄存器的数据会丢失。此时用本程序保存VD100和VD104，重新上电后可以看到这两个寄存器内的数据依然存在。 10、两个被写入的寄存器地址可以随意改变，无所谓是否连续。 这个程序是我自己琢磨出来的，贴出来供大伙儿拍拍砖。 西门子官方网站提供了一个免费的库程序，可以一次写入多个数春运据。网址是 “ http://support.automation.siemens.com/CN/llisapi.dll/17471561?func=ll&objId=17471561&objAction=csView&nodeid0=10805150&lang=zh&siteid=cseus&aktprim=0&extranet=standard&viewreg=CN&load=content ”。

void EEPROM_erasure(UINT16 number) //清除 *** 作函数

{ 

  UINT16 *erase               

  //erase = (unsigned char*)(0x400+number)

  

  erase = (UINT16*)(number)

  *erase = 0xff 

  DisableInterrupts

  while(!(ECLKDIV & 0x80))    

  {}

  while(!(ESTAT & 0x80))      

  {}

  while(!(EPROT & 0x80))      

  {}

  ECMD = 0x40

  ESTAT |= 0x80

  while(!(ESTAT & 0x40)) 

  {}

  EnableInterrupts

}

void EEPROM_write(UINT16  code,UINT16 number) //写 *** 作

{ 

 

          纯销     

  UINT16 *eeaddr           //对EEPROM进行写 *** 作时的地址

 

 /*

  allow_calibration = 0

  calibration = 1

  */

  DisableInterrupts

  eeaddr = (UINT16*)(number)

  while(!(ECLKDIV & 0x80))    烂物     //判断ECLKDIV是否被写入，是向下进行，否原地等待?

  {}

  while(!(ESTAT & 0x80))           //判断缓冲区是否准备好，准备好则饥裤液向下进行，没有准备好则原地等待?

  {}

  while(!(EPROT & 0x80))           //判断EEPROM是否允许被写入，允许向下进行，不允许则原地等待?

  {}

   *eeaddr= code

   

  ECMD = 0x20

  ESTAT |= 0x80

while(!(ESTAT & 0x40))          //判断EEPROM是否被写入，是向下进行，否原地等待；

  {}

  EnableInterrupts

  return   

}

*/ 

 UINT16 EEPROM_read(UINT16 add)  //读 *** 作 

{

  

  UINT16 *erase

  UINT16 m

  

  calibration = 0

  

  DisableInterrupts

  erase = (UINT16*)(add)

  

  m = *erase 

  EnableInterrupts

  return m

         

  

}

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