如何将数据写入EEPROM

如何将数据写入EEPROM,第1张

很多工艺过程需要对一些变量做长久保存。比如某些控制参数,在程序运行过程中可能会被修改,在改变后必须再一次永久保存以防掉电丢失。自然,这些参数不能由数据块或初始化予以预置。因此,S7-200提供了将数据写入EEPROM的功能。由于写EEPROM是在每个扫描周期的尾部执行的,我的理解是一次扫描只能写一个数据。这就带来一个问题,如果有多个数据需改森埋要同时写入这么办?按照手册上提供的方法,重复多写几个Network、多用几个使能标识位可以吗?这样简单的重复显然会有问题:由于使用上升沿触发写EEPROM程序,完成了第一个写入后程序将进入下一个扫描周期,尽管SM31.7已经被释放,但后几个使能位的上升沿已经不存在了;因此还是只能写一个数据。 为了保证所有数据都能写入EEPROM,我对手册上的范例做了一些改动,相关程序请看附件。详细说明如下: 1、为了将多个数据写入EEPROM,就必须用多个扫描周期,而且保证每个扫描周期依次写入一个数据,直到全部写完。这样,每个数据写入的使能标识位在数据尚未写入时必须处在使能状态。而在写入完成后必须退出使能状态。 2、由于写入程序的触发还有一个SM31.7作为判断条件,按照程序的时序关系,前一个写入程序被使能后,后面的写入程序核蚂必然会被屏蔽,因此无需担心写入条件发生改变。 3、在数据写入被使能后及时退出本数据的写入使能,避免下一个扫描周期被再次触发。同时释放写入请求以使下一个数据的写入请求能被响应。 4、一般来说,写EEPROM不是一件经常发生的事件,因此不必担心两个相邻扫描周期内同一个写入使能位被再次触发。除非程序本身的编写有误。 5、实例程序中用M0.0使能VD100的写入,用M0.1使能VD104的写入,M0.2同时使能上述两个标识位(也可以在监控状态下单独使能某个位)。这里我们讨论两个标识位同时被使能的情况。 6、M0.0置位后,SM31.7=0,执行VD100的写入程序;然后置位SM31.7,并立即复位M0.0。由于SM31.7被置位,即使M0.1也处于被使能状态,在本次扫描周期内VD104的写入请求被忽略,而M0.1还保持使能状态。 7、在下一个扫描周期内,由于M0.0已经退出使能状态,因此VD104的写入请求将被响应。与M0.0一样,写入请求被响应后M0.1也立即退出使能状态。 8、这样,在两个扫描周期内两个数据被写入EEPROM。如果有更多的数据需要保存,可以以此类推。 9、检验本程序的方法:在系统块中将V寄存器的掉电保持全部取消,可以看到重新上电后前一次写入V寄存器的数据会丢失。此时用本程序保存VD100和VD104,重新上电后可以看到这两个寄存器内的数据依然存在。 10、两个被写入的寄存器地址可以随意改变,无所谓是否连续。 这个程序是我自己琢磨出来的,贴出来供大伙儿拍拍砖。 西门子官方网站提供了一个免费的库程序,可以一次写入多个数春运据。网址是 “ http://support.automation.siemens.com/CN/llisapi.dll/17471561?func=ll&objId=17471561&objAction=csView&nodeid0=10805150&lang=zh&siteid=cseus&aktprim=0&extranet=standard&viewreg=CN&load=content ”。

具体将数据保存到eepromflash的步骤如下:

1、通过ecu的软件平台或者调试工具,打开eepromflash的读写接口。

2、准备需要写入eepromflash的数据,并将其保存到一个变量或者缓冲区中。

3、将桥贺数据写入到eepromflash中。

4、在数据写入完成后,需要对eepromflash进行校验和验证。

5、在ecu的应用程序中,仿槐需要对保存在eepromflash中的数据进行调用和读取 *** 作,敏大派以实现相应的功能和控制。


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原文地址: http://outofmemory.cn/yw/12561167.html

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