(1)画出该寄存起组成的逻辑框图。
(2)设存贮器读 / 写周期均为05μs,CPU在1μs内至少要访存一次。试问采用哪种刷新方式比较合理?两次刷新的最大时间间隔是多少?对全部存贮单元刷新一遍,所需实际刷新时间是多少?
解:(1)根据题意,存储器总容量为64KB,故地址线总需16位。现使用16K×1位的DRAM芯片,共需32片。芯片本身地址线占14位,所以采用位并联与地址串联相结合的方法来组成整个存储器 ,其组成逻辑框图如图A173所示,其中使用一片2:4译码器
图A173
(2) 根据已知条件,CPU在1μs内至少需要访存一次,所以整个存储器的平均读/写周期与单个存储器片的读/写周期相差不多,应采用异步式刷新方式比较合理。
对DRAM存储器来讲,两次刷新的最大时间间隔是2ms。
DRAM芯片读/写周期为05μs。假定16K×1位的RAM芯片由128×128矩阵存储元构成,刷新时只对128行进行异步式刷新,则刷新间隔为2ms/128 =156μs,可取刷新信号周期为15μs。
2 有一个16K×16位的存储器,由1K×4位的DRAM芯片构成(芯片是64×64结构)。问:
(1)共需要多少RAM芯片?
(2)存储体的组成框图
(3)采用异步刷新方式,如单元刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少
(4)如采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读/写周期?死时间率是多少?
解:(1)存储器的总容量为16K×16位=256K位,所以用DRAM芯片为1K×4位=4K位,故芯片总数为: 256K位/4K位 = 64片
(2)由于存储单元数为16K,故地址长度为14位(设A13~A0)。芯片单元数为1K则占用地址长度为10位(A9~A0)。每一组16位(4片),共16组,组与组间译码采用4:16译码。组成框图如图所示。
(3) 采用异步刷方式,在2ms时间内分散地把芯片64行刷新一遍,故刷新信号的时间间隔为2ms/64 = 3125μs,即可取刷新信号周期为30μs。
(4)如采用集中刷新方式,假定T为读/写周期,如16组同时进行刷新,则所需刷新时间为64T。设T单位为μs,2ms=2000μs,则死时间率 =( 64T/2000)×100%。
3 用16k×8位的SRAM芯片构成64K×16位的存储器,要求画出该存储器的组成逻辑框图。
解:存储器容量为64K×16位,其地址线共为16位(A15—A0),数据线也是16位(D15—D0)
SRAM芯片容量为16K×8位,其地址线为14位,数据线为8位,因此,组成存储器时须字、位同时扩展。字扩展采用2 :4译码器产生片选信号,以16K为一个子模块,共4个子模块。位扩展采用两片串接。芯片数=总容量/容量=4k8÷1k4=8片
图我就不画了,存储器共有12根地址线其中2根连译码器产生4个片选信号,剩下的10根连所有的芯片,用作片内寻址1k4的芯片2个一组,共4组,一组连一个片选信号还有一个读信号线,连所有芯片
存储总容量为64KB,故地址总线需16 位。现使用16K8 位DRAM 芯片,共需16 片。芯片本身地址线占14 位,所以采用位并联与地址串联相结合的方法来组成整个存储器,其中使用一片2:4 译码器。
根据已知条件,CPU 在1us 内至少访存一次,而整个存储器的平均读/写周期为05us,如果采用集中刷新,有64us 的死时间,字扩展有串联 位扩展有并联,要44=16个DRAM芯片。
工作原理
存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。存储器可分为主存储器(简称主存或内存)和辅助存储器(简称辅存或外存)两大类。和CPU直接交换信息的是主存。
主存的工作方式是按存储单元的地址存放或读取各类信息,统称访问存储器。主存中汇集存储单元的载体称为存储体,存储体中每个单元能够存放一串二进制码表示的信息,该信息的总位数称为一个存储单元的字长。存储单元的地址与存储在其中的信息是一一对应的,单元地址只有一个,固定不变,而存储在其中的信息是可以更换的。
百度百科-存储器
2114是1K4的RAM存储器,4个2114地址线、控制线并联,数据线单独组成1K16 ,4组地址线、数据线、we端并联可以组成4K16位的存储器,加上ls138 3-8线译码器或者ls139双2-4线译码器分别接在各组的cs端,就可以了。1、函数Y简化有问题
正解流程:
Y1=AC,Y2=BC,
Y=(Y1+Y2)'=(AC+BC)'=[C(A+B)]'=C'+(A+B)'=C'+A'B',而不是Y=C'+(AB)' !
2、Y波形图也存在误差
正确作图:
线路标注:
J1=Q2,K1=Q2' ,J2=K2=Q1’;
按 Qn=J Q' + K' Q;
则 Q1n = Q2,
初态 Q1=Q2=0;
第1个脉冲后,Q1n = Q2 =0,Q2n = Q1' Q2’+ Q1 Q2 =1;
第2个脉冲后,Q1n = Q2 =1,Q2n = Q1' Q2’+ Q1 Q2 =0;
第3个脉冲后,Q1n = Q2 =0,Q2n = Q1' Q2’+ Q1 Q2 =0;
完成一个循环
扩展资料:
现代的数字电路由半导体工艺制成的若干数字集成器件构造而成。逻辑门是数字逻辑电路的基本单元。存储器是用来存储二进制数据的数字电路。
参考资料来源:百度百科-数字电路-分析方法
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