扩展资料:
参考资料:
根据使用需要确定,举例:如果要产生标准的串口波特率,应使用110592MHz,如果要让51单片机产生整数的时钟频率可使用12MHz或者24MHz单片机。
另外根据单片机本身的参数,不要选择过高的频率,否则会工作不稳定。举例:Atmega8L-8PU,这个单片机后面一个8的意思就是建议最大工作频率不要超过8MHz,如果超过8MHz不大于16MHz,可以选用Atmega8L-16PU。
从内存中取出一条指令,并指出下一条指令在内存中的位置。对指令进行译码和测试,并产生相应的 *** 作控制信号,以便于执行规定的动作。指挥并控制CPU、内存和输入输出设备之间数据流动的方向。
PC用于确定下一条指令的地址,以保证程序能够连续地执行下去,因此通常又被称为指令地址计数器。在程序开始执行前必须将程序的第一条指令的内存单元地址(即程序的首地址)送入PC,使它总是指向下一条要执行指令的地址。
扩展资料:
在恒定的环境条件下测量振荡器频率时,振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的,可用规定时限后的最大变化率(如±10ppb/天,加电72小时后),或规定的时限内最大的总频率变化(如:±1ppm/(第一年)和±5ppm/(十年))来表示。
基准电压为+25V,规定终点电压为+05V和+45V,压控晶体振荡器在+05V频率控制电压时频率改变量为-110ppm,在+45V频率控制电压时频率改变量为+130ppm,则VCXO电压控制频率压控范围表示为:≥±100ppm(25V±2V)。
高精度与高稳定度,无补偿式晶体振荡器总精度也能达到±25ppm,VCXO的频率稳定度在10~7℃范围内一般可达±20~100ppm,而OCXO在同一温度范围内频率稳定度一般为±00001~5ppm,VCXO控制在±25ppm以下。
参考资料来源:百度百科--晶体振荡器
参考资料来源:百度百科--单片机
1、用带频率计的数字万用表;2、用频率计;
3、用数字示波器。
以上几种方法都是直接测量,其中用万用表测量较简便。当然,用万用表测量时晶振的频率要在万用表的量程范围内才行。
望采纳,我们是凯越翔电子,有问题欢迎咨询。温补晶振一般要求10度一点测试,恒温晶振可以只测三个点。使用高低温箱,温度从低到高单循环测试。在各个温度点温度稳定后,测试晶振频率。
有的按最大值减最小值考核,有点以常温25度归零,两种方式都可以。
名词解释:
晶振:即所谓石英晶体谐振器和石英晶体振荡器的统称。
晶振
压电效应(物理特性):在水晶片上施以机械应力时,,会产生电荷的偏移,即为压
水晶片的制程
水晶的矿物名称是石英。化学成份为二氧化硅(SiO2),纯净时形成无色透明的晶体,当含有微量杂质元素铝、铁等时,产生紫色、**、烟色等多种颜色。石英是地球上存在最普通的矿物质,占在壳成份的582%,主要分布在岩石中,独立存在的石英可形成单晶体、多晶体、隐晶体或非晶体,统称晶石。水晶体呈六面柱锥形,其柱面有横条生长纹。
人造水晶又称“合成水晶”。水晶生长周期一般为40—60天。合成水晶的最大特
色是有籽晶晶核,晶核一般为无色的长板柱状,与周围合成晶界限清楚。
由于天然水晶含有大量杂质,纯度太低,因此用来生产水晶片的水晶都是人工水晶,目前主要采用水热合成法来制造人工水晶。
水热法(hydrothermal process) 是利用高温高压的水溶液使那些在大气条件下不溶或难溶的的物质通过溶解或反应生成该物质的溶解产物,并使其呈过饱和态从而结晶生长的方法。高压釜(autoclave) 是水热法生长晶体的关键设备,为可承高温高压的钢制釜体。水热法采用的高压釜一般可承受11000C的温度和109Pa的压力,具有可靠的密封系统和防爆装置。因为具潜在的爆炸危险,故又名“炸d”(bomb)。由于内部要装酸、碱性的强腐蚀性溶液,所以要求高压釜的材料能耐腐蚀。有时还在高压釜内装有耐腐蚀的贵金属内衬
基本分类
一、按材质封装
(1)金属封装-SEAMTYPE
(2)陶瓷封装-GLASSTYPE
二、贴装方式
(1)直插封装-DIP
(2)贴片封装-SMD
三、按产品类型
(1)crystal resonator—晶体谐振器(无源晶体)
(2)crystal oscillator—晶体振荡器(有源晶振)---SPXO 普通有源晶体振荡器
VCXO电压控制晶体振荡器 TCXO 温度补偿晶体振荡器
VC-TCXO压控温补晶体振荡器
(3)crystal filter—晶体滤波器
(4)tuning fork x’tal (khz)-水晶振动子
名字术语
SMT:Surface Mount Technology
表面贴装技术
SMD:Surface Mount Device
表面贴装元件
OSC:Oscillator Crystal
晶体振荡器
TCXO:Temperature Compensate X‘tal Oscillator
温度补偿晶体振荡器
VC-TCXO:Voltage Controlled, Temperature Compensated Crystal Oscillator
压控温度补偿晶体振动器
VCXO:Voltage Control Oscillator
压控晶体振动器
名字术语2
1、标称频率F:晶体元件规范(或合同)指定的频率。HZ赫兹 KHZ、MHZ
2、调整频差:在规定条件下,基准温度(常温25°C)时工作频率相对标称频率的允许偏离。(PPM)
3、温度频差:在整个工作温度范围内,相对于基准温度时,工作频率的允许偏离。
4、负载电容CL:与晶体元件一起决定负载谐振频率的外置有效外界电容。
5、工作温度:晶体能稳定工作的温度范围。
6、工作电压:指有源晶振工作时的供电电压。
7、总频差:由于指定或多种原因引起的工作频率相对于标称频率的最大允许偏差。主要由调整频差和温度频差构成。
8、基准温度:一般指25℃±2℃,对温控晶体元件是指控温范围的中点。
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