N沟道和P沟道MOS管工作在不同区域的条件分别是什么呢？

N道的MOS管箭头是向内侧指向，P道的箭头是向外侧指向的。

导通条件都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N道G极电压为+极性。对P道的G极电压为-极性。

可能是耗尽型的绝缘栅极MOS，这个符号与国内常见画法不一样，是否从外文资料来。
国内的标法是用衬底的箭头方向来表示沟道类型。
结合三极管画法，这个就该是N沟道的。虚线那个极应是栅极（G），箭头那个极是S，另外那个是D。

mos管比较好判断的是栅极G,漏极D和源极S不好区分。
首先说一下数字表和模拟（指针表）的区别，数字表的红、黑表笔对应代表正、负，指针表的红表笔代表负，黑表笔代表正，这是表的原理决定的。
其次，管脚的判定，因为MOS管的工作原理是电压控制形成（阻断）导电沟道的，我们就用万用表的二极管档位（数字表），电阻的10k党（模拟表），来施加栅极控制电压；观察：一般源极是和外壳连在一块的，负极接源极，正极分别接另两个管脚，数字减小或者指针偏转大的脚是漏极，另一脚就是栅极了

一红左，黑中、右无穷大黑左，红中、右无穷大红中，黑右无穷大；黑中红右显示530（左右）。其实场效应管三极管很好判断：有字面朝上从左到右依次为：G、D、S，有些管相反：S、D、G。我修显示器、主板、电源都是从上面的方法测绝对没问题。你不信随便拆块板看一看，场效应管在电路图板的布局及应VMOS大功率场效应晶体管的检测。
二．1判别各电极与管型。用万用表R×100档，测量场效应晶体管任意两引脚之间的正、反向电阻值。其中一次测量中两引脚的电阻值为数百欧姆，这时两表笔所接的引脚为源极S和漏极D，而另一引脚为栅极G。再用万用表R×10k档测量两引脚（漏极D与源极S）之间的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值为2kΩ左右，反向电阻值大于500kΩ。在测量反向电阻值时，红表笔所接引脚不动，黑表笔脱离所接引脚后，先与栅极G触碰一下，然后再去接原引脚，观察万用表读数的变化情况。若万用表读数由原来较大阻值变为0，则此红表笔所接的即是源极S，黑表笔所接为漏极D。用黑表笔触发栅极G有效，说明该管为N沟道场效应管。若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰栅极G后再接回原引脚，若此时万用表读数由原来阻值较大变为0，则此时黑表笔接的为源极S，红表笔接的是漏极D。用表红笔触发栅极G有效，说明该管为P沟道场效应晶体管。
2．判别其好坏。用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏。若触发有效（触发栅极G后，D、S极之间的正、反向电阻均变为0），则可确定该管性能良好。用吧三,1用10K档,内有15伏电池可提供导通电压2因为栅极等效于电容,与任何脚不通,不论N管或P管都很容易找出栅极来,否则是坏管3利用表笔对栅源间正向或反向充电,可使漏源通或断,且由于栅极上电荷能保持,上述两步可分先后,不必同步,方便但要放电时需短路管脚或反充4大都源漏间有反并二极管,应注意,及帮助判断5大都封庄为字面对自已时,左栅中漏右源。

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