FET:场效应管
根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件
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1概念:
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管它属于电压控制型半导体器件
特点:
具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者
作用:
场效应管可应用于放大由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器
场效应管可以用作电子开关
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换常用于多级放大器的输入级作阻抗变换场效应管可以用作可变电阻场效应管可以方便地用作恒流源
2场效应管的分类:
场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类见下图 :
3场效应管的主要参数 :
Idss — 饱和漏源电流是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流
Up — 夹断电压是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压
Ut — 开启电压是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压
gM — 跨导是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数
BVDS — 漏源击穿电压是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS
PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量
IDSM — 最大漏源电流是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流场效应管的工作电流不应超过IDSM
4结型场效应管的管脚识别:
判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道
判定源极S、漏极D:
在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极
5常效应管与晶体三极管的比较
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好
场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。
测试种类覆盖7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。
高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）
控制极/栅极电压40V，栅极电流10mA
分辨率最高至1mV / 1nA，精度最高可至05%
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统适用于功率器件测试还可测试“结电容”，支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”
第一部分：规格&环境
11、 产品信息
产品型号：DCT2000
产品名称：半导体功率器件静态参数测试仪系统
12、 物理规格
主机尺寸：深660宽430高210(mm)
主机重量：＜35kg
13、 电气环境
主机功耗：＜300W
海拔高度：海拔不超过4000m；
环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；
相对湿度：20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；
大气压力：86Kpa～106Kpa；
防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；
电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；
工作时间：连续；
第二部分：应用场景和产品特点
一、应用场景
1、 测试分析 （功率器件研发设计阶段的初始测试，主要功能为曲线追踪仪）
2、 失效分析 （对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案）
3、 选型配对 （在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）
4、 来料检验 （研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）
5、 量产测试 （可连接机械手、扫码q、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）
6、 替代进口 （DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品）
二、产品特点
1、程控高压源10~1400V，提供2000V选配；
2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A选配；
3、驱动电压10mV~40V
4、控制极电流10uA~10mA；
5、16位ADC，100K/S采样速率；
6、自动识别器件极性NPN/PNP
7、曲线追踪仪，四线开尔文连接保证加载测量的准确
8、通过RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验
9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等）
10、半导体功率器件静态参数测试仪系统能测很多电子元器件（如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等）；
11、半导体功率器件静态参数测试仪系统能实现曲线追踪仪（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) ）
12、结电容参数也可以测试，诸如Cka，Ciss，Crss，Coss；
13、脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需外挂升温装置；
14、Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin），连接分选机最高效率1h/9000个；
15、半导体功率器件静态参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用；
第三部分：产品介绍
31、产品介绍
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统是由我公司技术团队结合半导体功率器件静态参数测试仪系统的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，完全自主开发设计的全新一代“半导体功率器件静态参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。
半导体功率器件静态参数测试仪系统脉冲信号源输出方面，高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）栅极电压40V，栅极电流10mA，分辨率最高至1mV / 30pA，精度最高可至05%。程控软件基于Lab VIEW平台编写，填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。
产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器，还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。
半导体功率器件静态参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让 *** 作人员在夹具上实现一点即测。 *** 作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本，方便快捷的完成曲线追踪仪。
32、人机界面（DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统）
第四部分：功能配置
41、 配置选项
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的功能配置如下
42、 适配器选型
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的适配器有如下
43、 测试种类及参数
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的测试种类和参数如下
(1)二极管类：二极管 Diode
Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；
(2)二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）
Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka；
(3)二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）
Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；
(4)二极管类：三端肖特基二极管SBD（SchottkyBarrierDiode）
Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；
(5)二极管类：瞬态二极管 TVS
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；
(6)二极管类：整流桥堆
Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；
(7)二极管类：三相整流桥堆
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；
(8)三极管类：三极管
Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts（选配）、Value_process；
(9) 三极管类：双向可控硅
Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；
(10)三极管类：单向可控硅
Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm；
(11)三极管类：MOSFET
Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；
(12)三极管类：双MOSFET
Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss；
(13)三极管类：JFET
Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss；
(14)三极管类：IGBT
Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；
(15)三极管类：三端开关功率驱动器
Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt；
(16)三极管类：七端半桥驱动器
Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt；
(17)三极管类：高边功率开关
Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt；
(18)保护类：压敏电阻
Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;
(19)保护类：单组电压保护器
Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；
(20)保护类：双组电压保护器
Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；
(21)稳压集成类：三端稳压器
Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk；
(22)稳压集成类：基准IC（TL431）
Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka；
(23)稳压集成类：四端稳压
Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk；
(24)稳压集成类：开关稳压集成器
选配；
(25)继电器类：4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器
Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）；
(26)光耦类：4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦
Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；
(27)传感监测类：
电流传感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（选配）；
霍尔器件（MT44XX系列、A12XX系列）（选配）；
电压监控器（选配）；
电压复位IC（选配）；
曲线追踪仪
第五部分：性能指标
DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的性能指标如下
5 1 、 电流/电压源 （ VIS ） 自带VI测量单元
（1）加压(FV)
量程±40V分辨率195mV精度±1% 设定值±10mV
量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV
量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV
量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV
量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV
（2）加流(FI)
量程±40A 分辨率195mA精度±2% 设定值±20mA
量程±4A 分辨率195mA精度±1% 设定值±2mA
量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA
量程±40mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±20uA
量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA
量程±400uA分辨率195nA精度±1% 设定值±20nA
量程±40uA分辨率195nA精度±1% 设定值±2nA
说明：电流大于15A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调
（3）电流测量(MI)
量程±40A分辨率122mA精度±1% 读数值±20mA
量程±4A分辨率122uA精度±05% 读数值±2mA
量程±400mA分辨率122uA精度±05% 读数值±200uA
量程±40mA分辨率122uA精度±05% 读数值±20uA
量程±4mA分辨率122nA精度±05% 读数值±2uA
量程±400uA分辨率122nA精度±05% 读数值±200nA
量程±40uA分辨率122nA精度±1% 读数值±20nA
（4）电压测量(MV)
量程±40V分辨率122mV精度±1% 读数值±20mV
量程±20V分辨率122uV 精度±05% 读数值±2mV
量程±10V分辨率122uV 精度±05% 读数值±200uV
量程±5V分辨率122uV 精度±05% 读数值±20uV
5 2 、 数据采集部分 （ VM ）
16位ADC，100K/S采样速率
（1）电压测量(MV)
量程±2000V分辨率305mV精度±05%读数值±200mV
量程±1000V分辨率153mV精度±02%读数值±20mV
量程±100V分辨率153mV精度±01%读数值±10mV
量程±10V分辨率153uV精度±01%读数值±5mV
量程±1V分辨率153uV精度±01%读数值±2mV
量程±01V分辨率153uV精度±02%读数值±2mV
（2）漏电流测量(MI)
量程±100mA分辨率30uA精度±02%读数值±100uA
量程±10mA分辨率3uA精度±01%读数值±3uA
量程±1mA分辨率300nA精度±01%读数值±300nA
量程±100uA分辨率30nA精度±01%读数值±100nA
量程±10uA分辨率3nA精度±01%读数值±20nA
量程±1uA 分辨率300pA精度±05%读数值±5nA
量程±100nA分辨率30pA精度±05%读数值±05nA
（3）电容容量测量(MC)
量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF
量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF
5 3 、 高压源 （ HVS ） (基本)12位DAC
（1）加压(FV)
量程2000V/10mA分辨率305mV精度±05%设定值±500mV
量程200V/10mA分辨率305mV精度±02%设定值±50mV
量程40V/50mA分辨率305mV精度±01%设定值±5mV
（2）加流(FI)：
量程10mA分辨率381uA 精度±05%设定值±10uA
量程2mA分辨率381nA精度±05%设定值±2uA
量程200uA分辨率381nA精度±05%设定值±200nA
量程20uA分辨率381nA精度±05%设定值±20nA
量程2uA分辨率381pA精度±05%设定值±20nA
DCT2000 半导体功率器件静态参数测试仪系统 能测很多电子元器件 （ 如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等 ） 产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：
1、BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。
BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是跨导gm；
2、BJT线性较差，FET线性较好；
3、BJT噪声较大，FET噪声较小；
4、BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型
所以FET选型和使用都比较复杂；
5、BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流；
总的看，无论在分立元件电路还是集成电路中，FET替代BJT都是一个大趋势。假设都在恒流放大状态
硅管Ube=07V 锗管Ube=03V
题目中接近的电压均相差07V 所以都是硅管
NPN类型集电极Uc端的电压最大，基级Ub电压第二，发射级Ue电压最小，且基级大于发射级07V
PNP类型集电极Uc端的电压最小，基级Ub电压第二，发射级Ue电压最大，且发射级大于基级07V
以上可以判断 （1）中是NPN，（2）是PNP
一、绝缘栅型场效应管（或IGBT）好坏的简易判别方法
3、判断极性
将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，将黑表笔固定接在某一电极上，另一表笔红表笔分别接其它
两只管脚，若阻值均为无穷大，
对调用红表笔固定接在这一电极（原黑表笔接的那只管脚）上，另一表笔
（黑表笔）分别接其它两只管脚，若阻值均为无穷大，则固定不动的那只表笔接的那只管脚为栅极。
其余两
极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红
表笔接的为漏极（D）；黑表笔接的为源极（S）。
4、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的漏极（D），红表笔接IGBT 的源极（S），此时万用表的指针
指在无穷处。用手指同时触及一下栅极（G）和漏极（D），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值
较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下源极（S）和栅极（G），这时IGBT 被阻
断，万用表的指针回到无穷处。此时即可判断IGBT 是好的。
注意：若进第二次测量时，应短接一下源极（S）和栅极（G）。
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1K
Ω挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同
样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
附图
IGBT 绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET
等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
目前有用不同材料及工艺制作的IGBT, 但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放
大的复合结构。
IGBT有三个电极(见上图), 分别称为栅极G(也叫控制极或门极) 、集电极C(亦称漏极) 及发射极E(也称源
极) 。
从IGBT的下述特点中可看出, 它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷, 就是于高压大电流工作时, 导通电阻
大, 器件发热严重, 输出效率下降。
IGBT的特点:
1电流密度大
2输入阻抗高, 栅驱动功率极小, 驱动电路简单。
3低导通电阻。
4击穿电压高, 安全工作区大, 在瞬态功率较高时不会受损坏。
5开关速度快, 关断时间短,耐压1kV~18kV的约12us、600V级的约02us, 约为GTR的10%
代换ICBT时应注意的几个问题：
由于IGBT管工作在高电压、大电流状态，工作温度高，易损坏，据不完全统计，在电磁炉故障维修中，IGBT管损坏占80%以上，而各厂家采用的IGBT管型号繁杂，有的厂家还把IGBT管型号标注打磨掉，因此，维修中不得不考虑IGBT的代换。代换时应注意以下二点：
1、IGBT管的主要参数宜大不宜小，2000W以下的电磁炉可选用最大电流为20A—25A的IGBT管，2000W或2000W以上的电磁炉可选用最大电流为40A的IGBT管。
2、应区分IGBT管内是否含有阻尼二极管，内含有阻尼二极管的IGBT管可代换不含阻尼二极管的IGBT管，若用不含阻尼二极管的IGBT管代换内含有阻尼二极管的IGBT管时，应在新更换的IGBT管的漏极和源极之间并接一只快速恢复二极管，如图所示。部分快速恢复二极管的型号及主要参数如表所示。
电磁炉常用IGBT管型号和主要参数
管子型号 最高耐压（V） 最大电流（A） 管内是否含有二极管
20N 120CND 1200 20 有
K25T120 1200 25 有
G40N150D 1500 40 有
5GL40N150D 1500 40 有
G4PH50UD 1500 40 有
GT40Q321 1300 40 有
GT40T101 1000 40 无
G40T101 1000 40 无
GT40T301 1300 40 无
ZQB35JA 1500 35 有
G30P120N 1200 30 无
GPQ25101 1000 25 有
GT15J101 1000 15 无
GT8Q191 1900 8 有
GT50J101 1000 50 无
GT50J102 1000 50 无
GT50J301 1300 50 无
GT60M104 1000 60 无
GT60M301 1300 60 无
GT75AN—12 1200 75 无
15Q101 1000 15 有
25Q101 1000 25 有
80J101 1000 80 无
JHT20T120 1200 20 有
SKW25N120 1200 25 有
将万用表调至电阻档；
用万用表的黑表笔与1号引脚接触，红表笔分别接触2、3号引脚，两次是否有电阻值；
用万用表的黑表笔与2号引脚接触，红表笔分别接触1、3号引脚，两次是否有电阻值；
用万用表的黑表笔与3号引脚接触，红表笔分别接触1、2号引脚，两次是否有电阻值；
以上三组测量，如果某一组测量均导通，则黑表笔接触的为基极，三极管为NPN型；
使用二极管档就可以判别出e、c两级；
如果三组测量中，没有一组测量均导通，改用红表笔作为公共端，按2~4步骤进行测量，测出均导通一组的红表笔所接触的引脚为B极，三极管为PNP型，再使用二极管档判断出e和c极。
扩展资料
三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的基极。
具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上，用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。
如果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样最多量12次，总可以找到基极。
参考资料来源：百度百科-三极管
这两种管的结构和作用都不相同，如下所示：1，双极性晶体管（英语：bipolar transistor），全称双极性结型晶体管（bipolar junction transistor, BJT），俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。 双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成，晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN晶体管为例，按照设计，高掺杂的发射极区域的电子，通过扩散作用运动到基极。在基极区域，空穴为多数载流子，而电子少数载流子。由于基极区域很薄，这些电子又通过漂移运动到达集电极，从而形成集电极电流，因此双极性晶体管被归到少数载流子设备。
2，单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管。只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极。特别适用于开关系统中的弛张振荡器，可用于定时电路、控制电路和读出电路。
BE结应该在0-07V之间，V1和V2压差03V，所以应该是B和E，V3肯定是C，根据其极性方向可以判断这是一个PNP管，C的电压低于B和E。
如果C的电压高于B和E，则应为NPN管。所以有了NPN和PNP管的分别，V1和V2哪个是B哪个是E也就清楚了。
V1 ＝ 2V，V2 ＝ 8V，V3 = 83V。无论是NPN还是PNP都有UB电位在三个极之间居中，故2为B。由于V3 - V2 = 83-80=03符合PN结电压(锗管)，故3为E。
扩展资料：
电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）。
双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）。
J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）。
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称。
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）。
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）。
参考资料来源：百度百科-晶体三极管
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