STC89C52自带的EEPROM是否只能按扇区整体擦，能否按字节擦？

不要被宣传用语欺骗了……
STC89C52并没有内置的EEPROM，它是把内部的Flash分出一小块来单独给用户使用。作为Flash来讲 *** 作都是标准的，擦除 *** 作只能针对扇区进行，一个扇区512字节。
不过，实际在使用中你可以根据Flash的特性（可以把“1”写成“0”，但“0”不可以恢复成“1”，只有擦除 *** 作才能把扇区变成全“1”），合理规划自己的数据结构，线性地写零存储数据；此外应当把一个扇区的512字节尽量全都用满，减少擦除次数。

那是肯定可以随便擦写的啊，还用问么，EEPROM本来就是给单片机掉电后程序运行需要保存的数据，你设置一个值后写入EEPROM，你把电关掉，下次再开机就读EEPROM这个值出来就行了。EEPROM可以拼命的读，但不能拼命的写，它的写寿命次数只有100000次，读是无限次的。EEPROM不像RAM那样读写那么简单，EEPROM是掉电后数据不变，RAM掉电后数据没了，因为EEPROM擦写是次数限制的，而且保存的都是重要数据，不可以像RAM那样简单的写入，防止程序跑飞误修改里面的数据，所以要擦写都要执行规定的流程才能读写，具体怎么做你仔细看它的数据手册，有说明的，还有读写程序范例。搞单片机，第一要点就是仔细再仔细的看数据手册，否则你什么也不用干了。有一部分的单片机它的程序存储器（Flash）都可以擦写和读取呢。

看单片机PDF，STC的写之前一定要擦除，因为要为空时才可对其编程，写（因为只有扇区擦除才能把0变为1，若这个扇区原本有0的话你不擦出就不是覆盖了而是混乱！！！）。一个扇区可以写很多数据的，但是在每写一个数据之前要把其他的数据都先读出来保存一份到RAM，（定义几个变量，比如，a=eeprom_read(0x4000); b=eeprom_read(0x4001)）读出来后执行 eeprom_eares(0x4000);也就是擦除这个扇区，等擦除 *** 作执行完后和新数据一起写入这个扇区，如下：\x0d\eeprom_write(0x4000,a);//读出来的数据写回去\x0d\eeprom_write(0x4001,b);\x0d\eeprom_write(0x4002,c);\x0d\这样c就和a,b一起写到这个扇区了，写a的时候同样要把b,c读出来，写b的时候要把a，c读出来。\x0d\很多单片机有64个扇区，够用的话尽量一个扇区写一个数据，这样程序写起来比较方便，\x0d\其他类型的单片机没试验不知道，外部eeprom情况又不一样

与单片机有关。
比如STC的单片机，在向片内EEPROM写入数据前必须执行擦除 *** 作，并且擦除是按照扇区进行的，并不能逐字节进行。
而STM8单片机，在向片内EEPROM写入数据时不需要用户在程序中进行擦除，单片机会自动擦除对应字节的数据。

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名称：FlashRead
功能：读取程序存储器一个字
参数：addr -> 程序存储器字地址
返回：读取到的存储器值
/
uint16 FlashReadWord(uint16 addr)
{
EEADRL = ((addr) & 0x00ff);
EEADRH = ((addr) >> 8);
CFGS = 0; //访问程序存储器or数据EEPROM
LWLO = 0; //仅装载写锁存器位
EEPGD = 1; //访问程序存储器
RD = 1; //启动对程序存储器or数据EEPROM的读 *** 作，读 *** 作占用一个周期，由硬件清零
asm("NOP");
asm("NOP");
return ((EEDATH)<<8 | (EEDATL));
}
/
名称：FlashWriteWord
功能：编程程序存储器一个字
参数：addr -> 程序存储器字地址
dat -> 要编程的值
返回：无
/
void FlashWriteWord(uint16 addr,uint16 dat)
{
uint16 value;
EECON1 = 0;
EEADRL = ((addr) & 0xff);
EEADRH = ((addr) >> 8);
value = dat & 0x3fff;
EEDATH = ((value) >> 8);
EEDATL = ((value) & 0xff);
EEPGD = 1; //访问程序存储器
CFGS = 0; //访问程序存储器or数据EEPROM
WREN = 1; //使能编程/擦除 *** 作
LWLO = 0; //加载到程序存储锁存器，并编程到程序存储器
EECON2 = 0x55; //必须的解锁序列
EECON2 = 0xAA; //必须的解锁序列
WR = 1; //启动编程 *** 作
asm("NOP");
asm("NOP");
WREN = 0; //禁止编程/擦除 *** 作
}
/
名称：FlashWriteLine
功能：编程程序存储器一行(32字)
参数：addr -> 程序存储器行地址
dat -> 要编程的值
返回：无
/
void FlashWriteLine(uint16 addr,uint16 dat)
{
uint8 i;
uint16 value;
EECON1 = 0;
EEADRL = ((addr) & 0xff);
EEADRH = ((addr) >> 8);
for(i=0;i<31;i++)
{
value = dat[i] & 0x3fff;
EEDATH = ((value) >> 8);
EEDATL = ((value) & 0xff);
EEPGD = 1; //访问程序存储器
CFGS = 0; //访问程序存储器or数据EEPROM
WREN = 1; //使能编程/擦除 *** 作
LWLO = 1; //只加载到程序存储锁存器
EECON2 = 0x55; //必须的解锁序列
EECON2 = 0xAA; //必须的解锁序列
WR = 1; //启动编程 *** 作
asm("NOP");
asm("NOP");
EEADR++;
}
value = dat[31] & 0x3fff;
EEDATH = ((value) >> 8);
EEDATL = ((value) & 0xff);
EEPGD = 1; //访问程序存储器
CFGS = 0; //访问程序存储器or数据EEPROM
WREN = 1; //使能编程/擦除 *** 作
LWLO = 0; //加载到程序存储锁存器，并编程到程序存储器
EECON2 = 0x55; //必须的解锁序列
EECON2 = 0xAA; //必须的解锁序列
WR = 1; //启动编程 *** 作
asm("NOP");
asm("NOP");
WREN = 0; //禁止编程/擦除 *** 作
}
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名称：FlashEraseLine
功能：擦除程序存储器一行
参数：addr -> 程序存储器行地址
返回：无
/
void FlashEraseLine(uint16 addr)
{
EEADRL = ((addr) & 0xff);
EEADRH = ((addr) >> 8);
CFGS = 0; //访问程序存储器or数据EEPROM
WREN = 1; //使能编程/擦除 *** 作
EEPGD = 1; //访问程序存储器
FREE = 1; //执行擦除 *** 作
EECON2 = 0x55; //必须的解锁序列
EECON2 = 0xAA; //必须的解锁序列
WR = 1; //启动程序存储器or数据EEPROM编程/擦除 *** 作
asm("NOP");
asm("NOP");
WREN = 0; //禁止编程/擦除 *** 作
}

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