MT62F8D1AEK-DC Z8BFP内存芯片MT62F8D1CEK-DC Z8CKQ

MT62F8D1AEK-DC Z8BFP内存芯片MT62F8D1CEK-DC Z8CKQ,第1张

MT62F8D1AEK-DC Z8BFP内存芯片MT62F8D1CEK-DC Z8CKQ MT62F8D1AEK-DC Z8BFP内存芯片MT62F8D1CEK-DC Z8CKQ

在摩根大通全球技术大会上,美光首席执行官Sanjay Mehrotra对后续市场需求的成长保持乐观态度。首先是看好数据中心、云计算等领域需求持续强劲,主要受惠于AI和新服务器CUP平台所驱动,2021下半年需求将优于上半年,对DRAM和NAND Flash需求都将保持增加的趋势。

其次,是手机市场和笔记本市场,5G手机销量会持续增加,预计今年整体出货将增加一倍,超过5亿台。同时,因为疫情还未结束,远程办公、在线学习等带动个人笔记本需求持续强劲,即使遇到非存储芯片的供应短缺,今年个人笔记本需求仍是强劲的一年。美光:DRAM库存紧张,因行业资本支出增加反而担忧NAND对于美光而言,由于在2020年和2021年有限的资本支出,再加上需求增加的双重影响,截止到2021财年Q2财季,美光库存天数减少至99天,库存水平回到了2年前的水平。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra也表示,目前DRAM库存稀少,存在供应短缺。造成DRAM短缺,主要是因为“疫情”带来的不确定性,导致2020年整个行业的资本支出都在削减,也包括美光在内,但需求却在不断增加。美光预计在FQ4财季DRAM bit出货量将与FQ3相对持平,并预估DRAM行业到2022年仍可继续保持健康的市况。对于DRAM供应方面,美光在2021上半年已实现了1αnm DRAM的量产,预计在下半年将体现出来,并预计从2022年财年第一季度开始,可以看到DRAM bit出货量的快速成长,并逐渐成为主力军。

在NAND Flash方面,美光考虑到之前NAND行业资本支出的增加,以及美光176层3D NAND产能正在提升,因此对行业保持谨慎乐观的态度,但同时也看到了NAND行业需求正在改善,需要继续关注NAND行业的资本支出和供应增长情况。另外,对于主控芯片紧缺的市况,美光表示,会影响部分SSD供应,以及一些NAND解决方案的供应。美光进一步表示,公司不仅仅依靠NAND供应能力盈利,也正在推动NAND高价值产品的应用,其中美光客户端SSD中90%是PCIe NVMe,且也正在加速NVMe SSD解决方案在数据中心领域的应用,以及导入QLC优化成本。

MT62F768M64D4BG-031 WT:A D9XPZ

MT62F768M64D4BG-036 WT:A D9XTP

MT62F768M64D4ZU-023 WT:B D8CCK

MT62F768M64D4ZU-026 WT:B D8CCJ

MT62F768M64D4ZU-026 WT ES:B Z8CCH

MT62F8D1AEK-DC Z8BFP

MT62F8D1CEK-DC Z8CKQ

MT53E128M32D2DS-053 AIT:A D9WRZ

MT53E128M32D2DS-053 AUT:A D9WSF

MT53E256M16D1DS-046 AAT:B D9XFV

MT53E256M16D1DS-046 WT:B D9XFW

MT53E256M32D2DS-046 AAT:B D9WQR

MT53E256M32D2DS-046 AIT:B D9WQS

MT53E256M32D2DS-046 AUT:B D9WQT

MT53E256M32D2DS-046 IT:B D9XGK

MT53E256M32D2DS-053 AAT:B D9WQW

MT53E256M32D2DS-053 AIT:B D9WQX

MT53E256M32D2DS-053 AUT:B D9WQZ

MT53E256M32D2DS-053 WT:B D9WRB

MT53E384M32D2DS-046 AAT:E D9WRD

MT53E384M32D2DS-046 AIT:E D9WRF

MT53E384M32D2DS-046 AUT:E D9WRG

MT53E384M32D2DS-053 AAT:E D9WRK

MT53E384M32D2DS-053 AIT:E D9WRL

MT53E384M32D2DS-053 AUT:E D9WRM

MT53E384M32D2FW-046 AAT:E D8BBM

MT53E512M32D2FW-046 AAT:D D9ZZG

MT53E768M32D4DE-046 AAT:E D8BBX

MT53E768M32D4DT-046 AAT:E D9WRT

MT53E768M32D4DT-046 AIT:E D9WRR

MT53E768M32D4DT-053 AAT:E D9WRV

MT53E768M32D4DT-053 AIT:E D9WRS

 

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/zaji/5682263.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-12-17
下一篇 2022-12-17

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存