要通过协处理器来获取。
ARM处理器是英国Acorn有限公司设计的低功耗成本的第一款RISC微处理器,ARM处理器本身是32位设计,但也配备16位指令集,一般来讲比等价32位代码节省,却能保留32位系统的所有优势。
CPU功能上增加DSP指令集提供增强的16位和32位算术运算能力,提高了性能和灵活性。ARM还提供两个前沿特性来辅助带深嵌入处理器的高集成器件的调试,它们是嵌入式逻辑和嵌入式跟踪宏核系列。
使用SWD读取。
ARM防真器JTAG+ SWD是需要SWD和传统的调试方式进行连接就可以完成读取任务了,所以ARM防真器JTAG+ SWD读取FLASH需要使用SWD读取。
ARM仿真器是用于调试基于ARM内核的硬件模块,市面上常见的ARM内核有ARM7,ARM9,ARM11,Cortex-A,Cortex-M,Cortex-R等,而基于这些内核的芯片则多得多。
nand flash是通过 ALE/CLE (高电平有效)来区分数据线上的数据时命令(CLE有效),地址(ALE有效)还是数据(CLE/ALE都无效)。
那么这里既然是写命令 那么就一定是 CLE有效(高电平) ALE无效(低电平)。
同样命令既然是写给nand flash的那么 肯定有一个写周期。我们需要注意的是,写是在上升沿有效还是下降沿有效。
1 这里是命令锁存是时序,那么我们要注意的其实就只有 CLE 为高电平期间这段时序。(写命令啊,CLE有效时(高电平)指示现在的数据其实命令)ALE此时一定为低电平我们可以不关心他
2 所以,CLE为 低电平的时期,其他大部分引脚上都是 灰色的阴影,这代表我们不需要关心这段时期这些引脚的电平
3 那么 这个数据是什么时候被nand flash读取到的呢, 注意到 nWE信号 在上升沿有一个贯穿所有其他引脚时序的竖线(这好像是叫生命线?我也不清楚)
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