Xsense技术力葆Atmel触控IC一哥地位

Xsense技术力葆Atmel触控IC一哥地位,第1张

  在2007年多点触控起飞时,Atmel还赶不上这股潮流,直到两年后才推出第一颗电容式多点触控控制器。即使有了产品,Atmel还是相当低调,大家只知道Atmel以自家的电荷移转法电容技术切入市场,并主攻高端品牌市场,但东西到底做的如何,即使在触控“当道”的台湾,业者们也不太清楚。

  渐渐地,Design-win的消息愈来愈多,到了今天,在Computex 2013的展前记者会场,一整排从手机、平板到笔电的应用案例,个个都是机王或话题机,如Galaxy S3、微软的Surface Pro/RT、Google的Nexus 10等等。如今说Atmel是触控IC的一哥,应不为过。

  附图 : Atmel提出ITO替代材 - Xsense技术

  Atmel能站上此地位,其技术实力无疑是其被市场肯定的主要理由。以今年Computex发表的maXTouch T系列的mXT2952T来说,相较于目前市场需二至三颗的其他解决方案,它率先做到以单晶片就能支援到15.6英吋且经Windows 8认证过的触控式萤幕,经优化后可支援的覆层玻璃厚度仅0.4mm。

  另外,该走互电容和自电容感测架构呢?这件事在触控业争论已久,因两者各有优势,目前触控业的共识是走向两者并存的架构。当然,Atmel也不例外,其全系列maXTouch T都支援互电容和自电容的自动调整感测架构。

  Atmel触控技术业务部高级行销经理黄添华分析指出,互电容可实现真正的多点触控跟踪;自电容则适合用来提供包括閒置功耗、抗潮湿能力、戴手套追踪,以及检测未与触控式萤幕接触的手指或物体的悬空功能。该公司触控产品可依应用类型自动选择最佳的感测架构,实现无缝开关,以达到更高的性能和更低的功耗。

  其他抗噪讯能力提升、支援主动手写笔和感测器中枢(Sensor hub)等技术优势,且不多提,这里想多着墨的(虽然细节资料取得不多)是Atmel的Xsense技术。

  在触控架构中,ITO(铟锡氧化物)的透明导电感测层是关键性的组成,但一些理由,业者正在找寻替代材料,如:(1)铟是稀有材料;(2)ITO使用面积愈大,面电阻愈高,感测愈不灵敏;(3)ITO有脆性,不适合用于弯曲性的软性应用。

  近年来浮出台面的ITO替代材料有不少,如石墨烯、纳米碳管、纳米银线等,各有优缺点,但始终难跨越量产门槛。Atmel提出的Xsense,也是ITO替代材的一种作法,业界称Metal Mesh(金属网格),该公司则称为FLM(Fine-line Metal),采用的是极细的铜金属线。为了让金属线不被肉眼看到,且不会遮光,此铜线必须做到5-10μm的线宽,这会让电容感测变得相当困难,也是一般触控IC难以满足的感测要求。

  别人做不到,Atmel做到了,这正是要当市场一哥的必要条件吧。

  下一步,黄添华也看好在IPS面板上导入On-cell技术的设计架构:“相较于In-cell,此架构让面板与触控感测两者能独立工作,大幅降低难解的噪讯问题,不论在成本、厚度与良率上,都相当具有优势。” 由于三星AMOLED的触控功能即是采用Atmel家的On-cell技术,相信要切入IPS领域,并不会太困难吧。

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